半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种具有二极管截止输入的表面沟道ＣＣＤ．基准电压被加到该输入二极管，而输入信号则加到第一时钟电极前的一个输入栅极．特别是如果由一个转移部分和一个存储部分组成的电极间有电势差时，不完全的电荷输运就有可能由输入到第一时钟电极间发生．为了避免这种不完全的电荷输运和／或可以扩大输入信号的动态范围，可将较大的例如是１０伏（这比加到其后的时钟电极例如５伏大）的时钟电压加到第一时钟电极．为此，可在一最佳实施例中，将５伏的时钟电压通过一自举电路加到第一时钟电极．（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件包括一个电荷耦合器件和包括一个输入级以及一列时钟电极，该电荷耦合器件配置在半导体本体的表面上，该输入级根据输入信号形成电荷包，该时钟电极备有施加时钟电压用的连接装置，而时钟电压是为了在下伏的电荷输运沟道中顺序存储和输运这些电荷包；从电荷输运的方向看去，输入级顺序包括有一个输入二极管、一个第一电极（下文称为取样栅极）和一个第二电极（下文称为输入栅极），而输入二极管备有施加固定电压的连接线，输入栅极备有施加输入信号的装置，取样栅极备有施加取样时钟电压的装置，取样时钟电压用以接通和阻断输入二级管和输入栅极下面区域间的连接，本半导体器件的特征是，所说连接装置包括一个放大器，放大器的输出端连到的输入栅极后的第一时钟电极，而且装配在该列时钟电极中的时钟电压可以加到放大器的输入端，因此，在加上这个时钟电压时，就可在第一时钟电极下面感生出一个势阱来，其深度足以使在输入栅极下面形成的整个电荷包流入这个势阱。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：马塞林纳斯约翰尼斯玛丽亚佩尔格罗姆，亨德里克斯海恩斯，
申请(专利权)人：菲利浦光灯制造公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]