大功率快速软恢复二极管管芯结构制造技术

本发明专利技术属于半导体二极管设计领域。本发明专利技术（ＳＩＯＤ）包括阳极区、基区、有极区以及金属薄膜构成的二个电极。阳极区由Ｐ区及多个均匀分布在该Ｐ区中的呈圆形的Ｐ区，基区为Ｎ区，阴极区由多个条状的Ｎ↑［＋］区，两相邻Ｎ↑［＋］区之间形成窄条状的肖特基区组成。本发明专利技术具有更佳反向快速软恢复特性，这种结构的二极管具有更佳的特性参数配合，不但具有较小的反向恢复时间，而且大大改善二极管软度因子。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体二极管设计与制造
，特别涉及大功率软恢复二极管管芯结构设计。近年来，各种高频器件如IGBT、MCT、MOSFET等广泛应用于高频电力电子线路中，这些器件的出现显著地改善了那些对开关频率要求很高的功率电路的性能。在许多应用场合，这些器件需要快速二极管与其反并联，以提供续流通道。二极管的反向恢复特性会对电路的效率以及施加于有源元件上的尖峰电压产生重大影响，随着工作频率的不断提高，二极管的特性变得越来越重要。二极管从导通转换为截止状态时，电流从正向电流IF降为数值较小的反向漏电流。在转换过程中，产生反向恢复尖峰电流IRRM。反向恢复时间定义为二极管这一转换过程所需的时间trrtrr＝tA+tB。附图说明图1示出了二极管反向恢复波形。tA是二极管从IF降至IRRM所需时间。tB一般定义为电流从IRRM降至0.1IRRM所需的时间。由于二极管反向恢复电流斜率di(rec)/dt对电路产生尖峰电压VRMVRM＝VR+L·di(rec)/dt其中L为电路电感。因而，二极管反向恢复波形对电路产生重大影响，为了表征这一影响，引入软度因子SS＝tB/tA或S＝di(rec本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率快速软恢复二极管管芯结构，包括在半导体芯片上扩散不同类型的杂质组成阳极区、基区、阴极区以及在该芯片两面淀积的金属薄膜构成的二个电极，所说的阳极区由低浓底杂质Ｐ区及多个均匀分布在该Ｐ区中的呈圆形的高浓度杂质Ｐ↑［＋］区构成，所说的基区为低浓底杂质Ｎ区，其特征在于所说的阴极区由多个条状的高浓度Ｎ↑［＋］区，两相邻Ｎ↑［＋］区之间形成窄条状的肖特基区组成。

【技术特征摘要】
1.一种大功率快速软恢复二极管管芯结构，包括在半导体芯片上扩散不同类型的杂质组成阳极区、基区、阴极区以及在该芯片两面淀积的金属薄膜构成的二个电极，所说的阳极区由低浓底杂质P区及多个均匀分布在该P区中的呈圆形的高浓度杂质P+区构成，所说的基区为低浓底杂质N区，其特征在于所说的阴极区由多个条状的高浓度N+区，两相邻N...

【专利技术属性】
技术研发人员：张清纯，张斌，陈永麒，王晓彬，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]