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本发明属于半导体二极管设计领域。本发明（ＳＩＯＤ）包括阳极区、基区、有极区以及金属薄膜构成的二个电极。阳极区由Ｐ区及多个均匀分布在该Ｐ区中的呈圆形的Ｐ区，基区为Ｎ区，阴极区由多个条状的Ｎ↑［＋］区，两相邻Ｎ↑［＋］区之间形成窄条状的肖特基区...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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