具有高发光效率的半导体发光器件制造技术

一种半导体发光器件，其中以与半导体衬底１晶格失配的状态在半导体衬底１上形成发光层４，由此获得高效率发光。采用起发光复合中心作用的杂质对用做发光层基本材料的半导体材料掺杂。半导体衬底是ＧａＰ衬底１，用做发光层４基本材料的半导体材料是（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［１－ｙ］Ｉｎ↓［ｙ］Ｐ。采用作为形成施主能级的第一杂质的氮、氧、硒、硫或碲，和作为形成受主能级的第二杂质的镁、锌或镉，对此（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［１－ｙ］Ｉｎ↓［ｙ］Ｐ材料掺杂。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体发光器件，特别是涉及一种具有由AlGaInP材料制造的发光层的发光二极管。应予注意，术语“AlGaInp材料”是指(AlxGa1-x)1-yInyP的混晶比x，y在0≤x，y≤1的范围变化的材料。(AlxGa1-x)1-yInyP材料在In的混晶比y＝0.51时呈现与GaAs衬底的晶格匹配。而且，在In的混晶比y＝0.51时，当Al的混晶比在x＝0-0.7的范围时，该材料变为直接跃迁(direct transition)式，在从红到绿的宽波长范围可以获得高亮度的发光。结果，近来(AlxGa1-x)1-yInyP材料开始广泛用做发光二极管的材料。作为这种(AlxGa1-x)1-yInyP族发光二极管，例如图8所示，已知的一种是在n型GaAs衬底212上，一个接一个地层叠n型GaAs过渡层211、n型(AlxGa1-x)1-yInyP包覆层203、非掺杂的(AlxGa1-x)1-yInyP有源层210、p型(AlxGa1-x)1-yInyP包覆层205和p型GaP电流扩散层206。为了有效地把注入载流子俘获进有源层210，包覆层203、205的带隙设置成大于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，其中，以与半导体衬底（１、１１）晶格失配的状态，在半导体衬底（１、１１）上形成发光层（４、１４），发光层（４、１４）所发波长的光基本不被半导体衬底（１、１１）吸收，其特征在于，采用起发光复合中心作用的至少一种杂质对用 做发光层基本材料的半导体材料掺杂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1996-12-20 341085/961.一种半导体发光器件，其中，以与半导体衬底(1、11)晶格失配的状态，在半导体衬底(1、11)上形成发光层(4、14)，发光层(4、14)所发波长的光基本不被半导体衬底(1、11)吸收，其特征在于，采用起发光复合中心作用的至少一种杂质对用做发光层基本材料的半导体材料掺杂。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，发光层(4、14)包括两种杂质，其包括形成施主能级的第一杂质和形成受主能级的第二杂质。3.根据权利要求2所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：中津弘志，
申请(专利权)人：夏普公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]