半导体器件制造技术

主要目的是提供一种以非常自由地进行布局的方式经过改良的、包含熔丝部分的半导体器件。将第１电路４与第２电路５以互相分离的方式设置在半导体衬底１上。熔丝部分２把第１电路４与第２电路５连接起来。在熔丝部分２的中间，夹有用耐腐蚀性强的材料形成的连结部分７。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般来说涉及半导体器件，更特定地说，涉及能够提高熔丝部分防潮性的、经过改良的半导体器件。图13为包括熔丝部分的现有半导体器件的平面图。图14为图13中所示的半导体器件的熔丝部分的沿ⅩⅣ-ⅩⅣ线的剖面图。参照这些图，在半导体衬底1上将第1电路4与第2电路5设置成互相分离的状态。第1电路4与第2电路5是通过熔丝部分2连接的。通过设置在半导体衬底1上的绝缘膜3来保护熔丝部分2。在现有的半导体器件中，熔丝部分2是使用与电路4、5内的布线相同的材料(铝、钨或硅化钨)制作的。图15为进行了激光烧断后的半导体器件平面图。图16为沿着图15中ⅩⅥ-ⅩⅥ线的剖面图。用激光进行熔丝烧断，由此把熔丝部分2切断。通过熔丝部分2的切断，对第1电路4与第2电路5进行电分离。在切断熔丝部分2之部位6处，在上部复盖的氧化膜3同时也被破坏。因此，相对于从上部浸入的水份，熔丝部分2的端面2a露出。图17为用于说明现有半导体器件的问题的图。图18为沿着图17中ⅩⅧ-ⅩⅧ线的剖面图。参照图17及图18，在现有的半导体器件中，因为熔丝部分的端面2a相对于从上部浸入的水分露出，所以，在熔丝部分2的材料是耐潮性差的材料的情况下，有时腐蚀沿熔丝部分2进入，破坏电路5内的布线及其它熔丝部分，导致器件不合格。图中，参照符号29所表示的部分表示熔丝2被腐蚀了的部分。一般来说，作为熔丝部分的材料选择导电性层。但是，因为优先考虑缩小布局及易于烧断的条件，所以，选择耐腐蚀性强的材料来使用是非常困难的。图19为在2个部位上存在熔丝部分2的现有半导体器件的平面图。图20为沿着图19中ⅩⅩ-ⅩⅩ线的剖面图。因为除了在2个部位上存在熔丝部分2以外其他方面与图13中所示的现有半导体器件相同，所以，对相同或相当的部分共标以相同的参照符号，不重复其说明。图21为在2个部位上有熔丝部分的现有半导体器件在激光烧断后平面图。图22为沿着图20的ⅩⅫ-ⅩⅫ线的剖面图。对与图15中所示器件相同或相当的部分只标以相同的参照符号，不重复其说明。图23为示出在2个部位有熔丝部分的半导体器件的问题的图。图24为沿着图23中ⅩⅩⅣ-ⅩⅩⅣ线的剖面图。对与图17中所示器件相同或相当的部分只标以相同的参照符号，不重复其说明。在现有的半导体器件中，用激光烧断进行了切断的熔丝部分也是半导体器件中防潮性最低的部分。由于该部分防潮性的程度很低，所以从已切断的熔丝部分的端面产生腐蚀，这种腐蚀沿着熔丝部分进入，进而，破坏电路及其它熔丝部分，结果，存在使半导体器件变成不合格的问题。本专利技术是为了解决上述那样的问题而完成的，其目的在于提供一种能够提高保险部分的防潮性的改良了的半导体器件。与本专利技术第1方面有关的半导体器件包括半导体衬底。在上述半导体衬底上，将使第1电路与第2电路设置成互相离开的状态，熔丝部分把上述第1电路与上述第2电路连接起来。在上述熔丝部分的中间，夹有用耐腐蚀性强的材料形成的连结部分。根据该专利技术，因为在熔丝部分的中间夹有用耐腐蚀性强的材料形成的连结部分，所以，即使在把熔丝部分切断以后，其端面露出，也能够利用由耐腐蚀性强的材料形成的上述连结部分防止腐蚀的进行。根据本专利技术第2方面，上述熔丝部分包括连接到上述第1电路上的第1金属部分和连接到该第1金属部分上的第1连结部分。上述第1连结部分包括在上述半导体衬底的表面上形成的第1沟；在该第1沟的底部上形成的第1掺杂层；以及沿上述第1沟设置的、把上述第1金属部分与上述第1掺杂层连结起来的第1栓(plug)部分。根据该专利技术，因为用耐腐蚀性强的第1掺杂层形成连结部分，所以，当即使熔丝部分被切断，第1金属部分的端面露出，导致该露出部分受到腐蚀，也能够利用第1掺杂层防止腐蚀的进行。根据与本专利技术第3方面有关的半导体器件，用钨或硅化钨形成上述第1栓部分。它们是容易用激光切断的材料。根据与本专利技术第4方面有关的半导体器件，上述第1掺杂层为掺杂多晶硅层。这样的掺杂层可以使用把杂质掺到硅衬底中的简单方法来形成。根据与本专利技术第5方面有关的半导体器件，上述熔丝部分包括连接到上述第2电路上的第2金属部分和连接到该第2金属部分上的第2连结部分。上述第2连结部分包括在上述半导体衬底的表面上形成的第2沟；在该第2沟的底部上形成的第2掺杂层；以及沿上述第2沟设置的、把上述第2金属部分与上述第2掺杂层连结起来的第2栓部分。与该专利技术有关的器件，在第1电路与第2电路之间，在2个部位上有熔丝。在这样的情况下，也防止腐蚀的进行。根据本专利技术第6方面所述的半导体器件，上述第2栓部分是用钨或硅化钨形成的。因而，变成用激光容易切断的熔丝部分。根据本专利技术第7方面，上述第2掺杂层是用掺杂多晶硅层形成的，该掺杂层是仅在多晶硅中掺杂而简单地形成的。图1为与实施例1有关的半导体器件的平面图；图2为沿图1中Ⅱ-Ⅱ线的剖面图；图3为激光烧断后的半导体器件的平面图；图4为沿图3中Ⅳ-Ⅳ线的剖面图；图5为用于说明与实施例1有关的半导体器件的效果的图；图6为沿图5中Ⅵ-Ⅵ线的剖面图；图7为与实施例2有关的半导体器件的平面图；图8为沿图7中Ⅷ-Ⅷ线的剖面图；图9为激光烧断后的半导体器件的平面图；图10为沿图9中Ⅹ-Ⅹ线的剖面图；图11为用于说明与实施例2有关的半导体器件的效果的图；图12为沿图11中Ⅻ-Ⅻ线的剖面图；图13为现有半导体器件的平面图；图14为沿图13中ⅩⅣ-ⅩⅣ线的剖面图；图15为现有半导体器件经激光烧断后的平面图；图16为沿图15中ⅩⅥ-ⅩⅥ线的剖面图；图17为示出现有半导体器件的问题的平面图；图18为沿图17中ⅩⅧ-ⅩⅧ线的剖面图；图19为另一现有半导体器件的平面图；图20为沿图19中ⅩⅩ-ⅩⅩ线的剖面图；图21为另一现有半导体器件经激光烧断后的平面图；图22为沿图21中ⅩⅫ-ⅩⅫ线的剖面图23为示出另一现有半导体器件的问题的平面图；图24为沿图23中ⅩⅩⅣ-ⅩⅩⅣ线的剖面图。下面参照附图说明本专利技术的实施例。实施例1图1为与实施例1有关的半导体器件的平面图。图2为沿图1中Ⅱ-Ⅱ线的剖面图。参照这些图，与实施例1有关的半导体器件具备半导体衬底1。在半导体衬底1上，将第1电路4与第2电路5设置成互相分离的状态。用熔丝部分2把第1电路4与第2电路5连接起来，在熔丝部分2的中间，夹有用耐腐蚀性强的材料形成的连结部分7。为了复盖熔丝部分2，把绝缘膜3设置在半导体衬底1上。参照图2，如果更详细地说明的话，熔丝部分2包括连接到第1电路4上的第1金属部分8和连接到第1金属部分8上的第1连结部分9。第1连结部分9包括在半导体衬底1的表面上形成的第1沟10；在第1沟10的底部上形成的第1掺杂层11；以及沿第1沟10设置的、把第1金属部分8与第1掺杂层11连结起来的第1栓部分100。熔丝部分2还包括连接到第2电路5上的第2金属部分12和连接到第2金属部分12上的第2连结部分13。第2连结部分13包括在半导体衬底1的表面上形成的第2沟14；在第2沟14的底部上形成的第2掺杂层15；以及沿第2沟14设置的、把第2金属部分12与第2掺杂层连结起来的第2栓部分101。用钨或硅化钨形成第1及第2栓部分100、101。第1及第2掺杂层11、15为掺杂多晶硅层。第1及第2金属部分8、12由铝形成，易于受到腐蚀，但是，第1及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底１；在所述半导体衬底１上互相分离地设置的第１电路４及第２电路５；连接所述第１电路４和所述第２电路５的熔丝部分２；以及用耐腐蚀性强的材料形成的连结部分７，该部分夹在上述熔丝部分２的中 间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1997-11-20 319447/971．一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底1；在所述半导体衬底1上互相分离地设置的第1电路4及第2电路5；连接所述第1电路4和所述第2电路5的熔丝部分2；以及用耐腐蚀性强的材料形成的连结部分7，该部分夹在上述熔丝部分2的中间。2．根据权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于所述熔丝部分2包括连接到所述第1电路4上的第1金属部分8和连接到该第1金属部分8上的第1连结部分7，所述第1连接部分7包括在所述半导体衬底1的表面上形成的第1沟10；在该第1沟10的底部上形成的第1掺杂层11；以及沿所述第1沟10设置的、把所述第1金属部分8与所述第1掺杂层11连接起来的第1栓部分100。3．根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：永井享浩，豆谷智治，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]