【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有例如,一个电流镜像电路,一个光电转换器件和一个图象读取装置的半导体器件,并且特别地涉及具有,例如,一个CMOS电流镜像恒定电流源电路的光电转换器件和具有配置多个光电转换器件的多传感器的图象读取装置。近年来,在光电转换器件领域,已广泛发展一种光接收部件及其外围电路构建在一单层衬底上的器件。这种光电转换器件的例子是一种运算放大器和光接收部件构建在一单层半导体衬底上的线性传感器(电视协会杂志,vol.47,No.9(1993),P.1180),具有一个抽样-保持电路的图象传感器(日本专利公开No.4-223771),和具有由运放组成的内部参考电压产生电路的固态图象传感器(日本专利公开No.9-65215)。用于运放的偏置电流通常使用恒定电流源电路产生。当该恒定电流源电路使用一个MOS晶体管构成时,一般运用如附图说明图10所示的CMOS恒定电流源电路(R.Gregorian和G.C Temes,用于信号处理的模拟MOS集成电路,P.127,图4和5)。此外,建议一种象在日本专利公开No.7-44254中公布的类似的CMOS恒定电流源电路。传统的CMOS恒定电流电路的工作将参考图10描述。图10表示把电源输入电压应用到组成电流镜像电路的传统的恒定电流电路中。现在参考图10,从Q3的漏极流到Q2的漏极的电流等于从Q4的漏极流到Q1的漏极的恒定电流。总之,当恒定电流流过(在图10中MOS晶体管Q2和Q4工作在饱和区),恒定电流电路是稳定的。图11是表示传统的恒定电流电路(图10)的式样的平面视图。图12是沿图11中的线A-A’取的原理截面图。图1 ...
【技术保护点】
一种光电转换器件,包含一个由电流镜像电路驱动的光电转换部件, 所述电流镜像电路包括: 源极连到正向输入电源的第一PMOS晶体管; 源极连到正向输入电源,栅极和漏极连到所述第一PMOS晶体管的栅极的第二PMOS晶体管; 源极连到参考电势,栅极和漏极连到所述第一PMOS晶体管的漏极的第一NMOS晶体管; 源极经一电阻连到参考电势,栅极连到所述第一NMOS晶体管的栅极,漏极连到所述第二PMOS晶体管的漏极的第二NMOS晶体管, 所述电流镜像电路具有一个阴极连到所述第二PMOS晶体管的漏极的光电二极管。
【技术特征摘要】
JP 1998-2-20 038871/98;JP 1998-9-24 270091/981.一种光电转换器件,包含一个由电流镜像电路驱动的光电转换部件,所述电流镜像电路包括源极连到正向输入电源的第一PMOS晶体管;源极连到正向输入电源,栅极和漏极连到所述第一PMOS晶体管的栅极的第二PMOS晶体管;源极连到参考电势,栅极和漏极连到所述第一PMOS晶体管的漏极的第一NMOS晶体管;源极经一电阻连到参考电势,栅极连到所述第一NMOS晶体管的栅极,漏极连到所述第二PMOS晶体管的漏极的第二NMOS晶体管,所述电流镜像电路具有一个阴极连到所述第二PMOS晶体管的漏极的光电二极管。2.根据权利要求1的器件,其中所述光电二极管接收一个反向偏置。3.根据权利要求2的器件,其中所述光电二极管接收所述第二PMOS晶体管和参考电势之间的一个反向偏置。4.根据权利要求1的器件,进一步包含用于流过基本上与所述电路镜像电路的电流相等的电流的第二电流镜像电路,所述电流镜像电路包括第三PMOS晶体管,源极连到所述第三PMOS晶体管的漏极和输出端,漏极连到参考电势的第四PMOS晶体管和具有阳极连到所述第四PMOS晶体管的栅极,阴极连到正向输入电源的线传感器的光电二极管。5.根据权利要求4的器件,其中所述光电转换器件包括其中配置了多个第二电流镜像电路的多传感器。6.一个图象读取装置包括作为一个读取图象的传感器,所述光电转换器件充当在权利要求5中定义的所述多传感器。7.根据权利要求1的器件,其中当光入射到所述光电转换单元上,在所述第一PMOS晶体管的漏极产生的光电流比在所述第一NMOS晶体管的漏极产生的光电流要大。8.根据权利要求1的器件,其中当光入射到所述光电转换单元上,在所述第二NMOS晶体管的漏极产生的光电流比在所述第一PMOS晶体管的漏极产生的光电流要大。9.一种光电转换器件,包含一个由电流镜像电路驱动的光电转换部件,所述电流镜像电路包括源极连到正向输入电源的第一PMOS晶体管;源极连到正向输入电源,栅极和漏极连到所述第一PMOS晶体管的栅极的第二PMOS晶体管;源极连到负的输入电源电压,栅极和漏极连到所述第一PMOS晶体管的漏极的第一NMOS晶体管;源极经一电阻连到负的输入电源电压,栅极连到所述第一NMOS晶体管的栅极,漏极连到所述第二PMOS晶体管的漏极的第二NMOS晶体管,所述电流镜像电路具有一个阳极连到所述第一NMOS晶体管的漏极的光电二极管。10.根据权利要求9的器件,其中所述光电二极管接收一个反向偏置。11.根据权利要求10的器件,其中所述光电二极管接收所述第一NMOS晶体管和正的输入电压之间的一个反向偏置。12.根据权利要求9的器件,进一步包含用于流过基本上与所述电流镜像电路的电流相等的电流的第二电流镜像电路,所述电流镜像电路包括第三PMOS晶体管,源极连到所述第三PMOS晶体管的漏极和输出端,漏极连到参考电势的第四PMOS晶体管和具有阳极连到所述第四PMOS晶体管的栅极,阴极连到正向输入电源的线传感器的光电二极管。13.根据权利要求12的器件,其中所述光电转换器件包括其中配置了多个第二电流镜像电路的多传感器。14.一个图象读取装置包括作为一个读取图象的传感器,所述光电转换器件充当在权利要求13中定义的所述多传感器。15.根据权利要求9的器件,其中当光入射到所述光电转换单元上,在所述第一PMOS晶体管的漏极产生的光电流比在所述第一NMOS晶体管的漏极产生的光电流要大。16.根据权利要求9的器件,其中当光入射到所述光电转换单元上,在所述第二NMOS晶体管的漏极产生的光电流比在所述第一PMOS晶体管的漏极产生的光电流要大。17.一种半导体器件,包含一个由至少是第一类导通型的第一区域和第二类导通型的第二区域组成的一个控制电路,所述控制电路包括一个半导体部件,其中当由于所述半导体器件的外部干扰引起在第一和第二区域中的任何一个出现一个电势变化,将引起一个与电势变化相反的电势变化。18.根据权利要求17的器件,其中所述控制电路通过形成第一类导通型的第一区域的多个PMOS晶体管和构成第二类导通型的第二区域的多个NMOS晶体管组成一个电流镜像电路,并且所述半导体器件功能是通过所述电流镜像电路和与所述电路连接的光电转换电路作为一个光电转换器件。19.一种光电转换器件,包含一个由电流镜像电路驱动的光电转换部件,所述电流镜像电路包括源极连到正向输入电源的第一PMOS晶体管;源极连到正向输入电源,栅极和漏极连到所述第一PMOS晶体管的栅极的第二PMOS晶体管;源极连到参考电势,栅极和漏极连到所述第一PMOS晶体管的漏极的第一NMOS晶体管;源极经一电阻连到参考电势,栅极连到所述第一NMO...
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