芯片尺度表面安装器件及其制造方法技术

一种芯片尺度封装，具有一个金属氧化物半导体场效应管管芯，此管芯具有一个顶电极表面（３７），其被一层光敏液态环氧树脂（１１１）所覆盖，环氧树脂被光刻成图案以使电极（３７）的一部分曝露在外，并用作钝化层或焊料掩模。在留下的液态环氧树脂层（１１１）的一部分上形成可焊接的接触层（４０）。每个单独的管芯（３０）以漏极边朝下安装在一金属夹片（１００）内，或者以漏极边朝下安装在一个壳内，此时漏极（３４）与一个从壳底（１０１）伸出的法兰边（１０５）处在同一平面内。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
本专利技术涉及半导体器件，更具体地说，涉及一种新型半导体器件的低成本制造方法。半导体器件和它们外壳是广为人知的。在先有技术的器件中，外壳的面积常常比半导体器件的面积大好多倍。另外，在许多现有的半导体器件封装中，热量只是从管芯的一面(通常是底面)散出。还有，在当前的封装中，由于采用的是单个器件的处理方法而使制造过程变得很昂贵。更具体地说，目前的半导体器件(特别是功率MOS门器件)中，顶面接触件(源极)一般是包含1.0％硅的铝接触件(以后就称为铝接触件)。之所以采用铝接触件是因为它很适合于晶片的制造工艺过程。然而，由于很难与这种铝接触件形成电连接，通常要采用一种导线连接工艺，将导线通过超声方法连到下面的铝接触件上。这些导线固定连接点的面积很有限，因而电阻源(RDSON)和工作过程中产生的热量也不大。但是，如美国专利5,451,544等所表明的那样，底部漏极接触件一般是一个三金属片，它很容易焊接或用其它方法电连接到一个大面积接触面上，而不必用导线连接的方式。热量主要是在背接触面处从硅管芯上散出去，虽然大部分热量是产生在顶面的连接点和导线连接处。还知道，可以把可焊接的顶面接触件做在管芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件封装，包括具有平行的顶面和底面的半导体器件管芯；所述顶面有一个平面金属电极，所述底面有一个可焊接的平面金属电极；在该平面金属电极的至少第一部分上形成有至少一层可焊接的导电层，所述至少一层可焊接的导电层有一个上平表面；一个金属夹片具有一个平腹板部分和至少一个从平腹板部分的边缘延伸出去的周边缘部分；所述腹板的底面以面对面接触的方式与管芯底面上的可焊接平金属电极电连接；所述夹片的周边缘部分延伸至管芯边缘的上方并与之分开，且终止于夹片边缘表面，此边缘表面处在与上述至少一个可焊接平面金属电极的上表面平面相平行的平面内且与该平面绝缘开，这样就可以把该夹片边缘表面和该至少一个可焊接平面金属电极...

【技术特征摘要】
US 2000-4-4 60/194,522;US 2001-3-28 09/819,7741.一种半导体器件封装，包括具有平行的顶面和底面的半导体器件管芯；所述顶面有一个平面金属电极，所述底面有一个可焊接的平面金属电极；在该平面金属电极的至少第一部分上形成有至少一层可焊接的导电层，所述至少一层可焊接的导电层有一个上平表面；一个金属夹片具有一个平腹板部分和至少一个从平腹板部分的边缘延伸出去的周边缘部分；所述腹板的底面以面对面接触的方式与管芯底面上的可焊接平金属电极电连接；所述夹片的周边缘部分延伸至管芯边缘的上方并与之分开，且终止于夹片边缘表面，此边缘表面处在与上述至少一个可焊接平面金属电极的上表面平面相平行的平面内且与该平面绝缘开，这样就可以把该夹片边缘表面和该至少一个可焊接平面金属电极安装在一个支撑表面上的金属化图案上。2.如权利要求1所述的封装，其中一些可焊接的平面金属柱形电极与所述金属功率电极相连，且全部终止于所述上平面表面的平面内。3.如权利要求1或2所述的封装，其中在所述管芯上表面上还包含一个第二平面金属电极，该电极包括一个控制电极；且第二可焊接平面金属电极有一个上表面，它与该至少一个可焊接平面金属电极的上表面处在同一个平面内。4.如权利要求1至3所述的器件，其中所述至少一个可焊接平面金属电极包含一层的与所述金属电极相连镍和一种与所述镍层顶面相连的易焊金属。5.如权利要求1至3所述的器件，其中所有所述可焊平面电极包含一层与它下面的金属电极相连的镍和一种与镍层顶面相连的易焊金属。6.如权利要求1至5所述的器件，还包含一种导电环氧树脂，它将所述腹板底面连接到所述管芯底面。7.如权利要求1至6所述的器件，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：M斯坦丁，HD肖菲尔德，
申请(专利权)人：国际整流器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]