利用铝的防止铜扩散膜的形成方法技术

本发明专利技术提供一种利用铝的防止铜扩散膜的形成方法。本发明专利技术在绝缘体上蒸镀（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）薄的铝（Ａｌ）膜后，在上述铝膜表面上用ＮＨ＃－［３］进行等离子体处理（ｐｌａｓｍａｔｒｅａｔｍｅｎｔ），变形为以氮化铝（ＡｌｘＮｙ）为基础的氮化膜，在上述氮化膜表面上蒸镀铝（Ａｌ）膜，并在蒸镀后的表面膜上蒸镀铜（Ｃｕ）。因此，具有以下效果，由抑制铜的扩散，解决了高集成化引起的金属（ｍｅｔａｌ）间的间距（ｐｉｔｃｈ）越减少金属线间的铜扩散等越引起必须考虑的泄漏（ｌｅａｋａｇｅ）问题。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，尤其是涉及CMP(chemical mechanical polishingCMP)工序过程中，在绝缘体上蒸镀(deposition)薄的第一铝膜后，使上述第一铝膜表面变形为以氮化铝(下面称为AlxNy)为基础的氮化膜，之后，在其上再蒸镀第二铝膜，并在上述第二铝膜上蒸镀铜来形成防止铜扩散膜的方法。
技术介绍
通常，在CMP工序过程中，实际上在半导体布线材料中利用铜(copper)来作为电传导率低以减少电阻电容(RC)延迟的金属化(metalization)材料。这种铜经镶嵌(damascene)法蒸镀后经过CMP工序，图1a至图1b是图示通过电镀(electroplating)蒸镀(deposition)铜后进行CMP工序的过程的图，若形成绝缘体(dielectric)(S1)图案，则利用等离子体蒸镀(plasma deposition)，由钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)(S2)等覆盖防止铜膜后，用电镀法蒸镀铜(S3)后进行处理CMP工序过程。但是，由于铜在半导体中利用的基本所有材料中，扩散系数高而变为使晶体管特性降低的主要原因，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用铝的防止铜扩散膜的方法，通过ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）工序过程形成防止铜（Ｃｕ）扩散膜，其特征在于：包括： 在绝缘体上蒸镀（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）薄的铝（Ａｌ）膜的第一阶段； 在所述第一铝膜表面上用ＮＨ↓［３］进行等离子体处理（ｐｌａｓｍａ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ），使所述第一铝膜的表面变形为氮化铝（ＡｌｘＮｙ）基础的氮化膜的第二阶段； 在所述氮化膜表面上蒸镀第二铝（Ａｌ）膜的第三阶段；和 在所述第二铝（Ａｌ）膜表面上蒸镀铜（Ｃｕ）的第四阶段。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2001-11-28 74751/011.一种利用铝的防止铜扩散膜的方法，通过CMP(chemical mechanicalpolishingCMP)工序过程形成防止铜(Cu)扩散膜，其特征在于包括在绝缘体上蒸镀(deposition)薄的铝(Al)膜的第一阶段；在所述第一铝膜表面上用NH3进行等离子体处理(plasma treatment)，使所述第一铝膜的表面变形为氮化铝(AlxNy)基础的氮化膜的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李载皙，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]