【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有纵向功率MISFET(金属绝缘物场效应晶体管)的半导体器件的基片结构及制造此基片结构的方法，其中每个MISFET具有一个形成于半导体基片上的栅极。
技术介绍
在半导体基片上形成的一个纵向功率MIS(包括MOS(金属氧化物半导体))FET中，一个漏极电流流经分别形成于半导体基片的顶表面和底表面上的源极与漏极之间。这一元件允许减少电流路径的电阻，因而经常用作功率器件。图34显示当今在实际中使用的超结型MISFET的剖面结构。半导体基片100由一个第一半导体基片和一个包含一层外延生长层的第二半导体基片组成。用作N+漏极区101的第一半导体基片与一个漏极105接触。用作N-漏极区102的第二半导体基片被提供有第一P基区103。与第一P基区103接触的第二P基区106被形成于第二半导体基片的表面下。参考数字107、108、109和110标示一个N源极区、一个栅极绝缘薄膜、一个栅极区和一个源极区。P基区103和位于各P基区103之间的N-漏极区102(分别为P和N型支柱层)的宽度及这些区中所包含的P和N型杂质数量是最优地设计的。因此，如果一个反相偏压...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括一个第一导电类型的半导体层；及一个形成于半导体层内的扩散区，该扩散区包括第一导电类型的第一杂质扩散区和第二导电类型的第二杂质扩散区，该扩散区具有分别由第一和第二杂质扩散区的杂质浓度所决定的第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，在第一区与第二区之间的结被形成于其中第一和第二杂质扩散区彼此重叠的一个部分中，且从包括第一和第二区的一个组中选出的区域的杂质浓度沿半导体层的平面方向的周期小于构成该选定区域的第一和第二杂质扩散区沿半导体层的平面方向的最大宽度。2.根据权利要求1的器件，其中第一导电类型的杂质浓度超过第一区中的第一导电类型的最大杂质浓度的50％的区域延伸于第一区的50％至65％之上。3.根据权利要求2的器件，其中第二导电类型的杂质浓度超过第二区中的第二导电类型的最大杂质浓度的50％的区域延伸于第二区的50％至65％之上。4.根据权利要求1的器件，其中从包含第一和第二区的一组中选出的区域在半导体层的平面方向内的杂质浓度周期为6和18μm之间。5.根据权利要求1的器件，其中该半导体层具有在半导体层的深度方向内彼此邻近的第一和第二半导体层，及第一半导体层内的扩散区内的第一和第二杂质扩散区在深度方向内分别连至第二半导体层内的第一和第二杂质扩散区。6.根据权利要求5的器件，其中第一和第二区之间的结基本上是直线状的。7.根据权利要求5的器件，其中r＞b/2其中b是从包含第一和第二杂质扩散区的一组中选出的一个杂质扩散区在深度方向内杂质浓度的周期，且r是半导体层的深度方向内第二杂质扩散区的扩散长度。8.根据权利要求5的器件，其中半导体层的杂质浓度等于或小于扩散区的杂质浓度的五分之一。9.根据权利要求8的器件，其中扩散区具有一种用于在半导体器件中形成一条电流路径的功能，及半导体器件的扩散区离开半导体层的一端。10.根据权利要求9的器件，还包括一个形成于半导体层表面上的扩散区与半导体层一端之间用于包围扩散区的第二导电类型的第三扩散区。11.根据权利要求9的器件，还包括一个第二导电类型的基区，被形成于半导体层表面上及连至第二扩散区；一个第二导电类型的源极区，被形成于基区上；一个源极，被提供于半导体层表面上及覆盖源极区的一部分；一个栅极，被提供于半导体层表面上及具有一层插入于它们之间的栅极绝缘薄膜并且覆盖基区、源极区和第一扩散区的一部分；一层绝缘薄膜，被提供于半导体层表面上的端区内，并且具有趋向半导体层一端而增加的高度；一个第一电...
【专利技术属性】
技术研发人员：奥村秀树，小林仁，土谷政信，大泽明彦，斋藤涉，山口正一，大村一郎，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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