【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景1.
本公开涉及半导体布图，更具体地说，涉及具有纵向晶体管的半导体存储单元的布图。2.相关技术的描述在半导体存储器件中，通过存储阵列形成栅导体，以通过给存储节点充电和放电激发存取晶体管读和写到存储节点，所述存储节点设置在深沟槽中。在先有技术体系中，存取晶体管设置在芯片的表面上，并且需要大量的芯片面积。通过线导体激发这些具有平面型晶体管的存储单元，所述线导体形成了平面型晶体管的栅导体。由于线宽也限定了晶体管的栅长，因此对于这些先有技术的存储单元设计来说，该栅导体的线宽是很关键的。由于栅导体(GC)一般具有高的电阻(它通常是由多晶硅和硅化钨形成的)，因此由于其高电阻而提供了改进栅导体的使用的方法。关于栅导体的高电阻的一种方法是形成缝合的或桥接的图形。该缝合的图形包含金属层之间的交替栅导体以促使线电阻降到低水平，这样将线电阻减小到栅导体值的十分之一。采用纵向晶体管来减少用于存储单元的布图面积，栅导体层只用于布线，不再采用栅导体来限定栅长。因此栅导体宽度不再是关键的。因此，需要改进布图和布线图，利用栅导体为纵向晶体管定向。专利技术概述根据本专利技术具有纵向晶体管的...
【技术保护点】
一种具有纵向晶体管的存储器件，包括：在所有面上与相邻有源区焊盘隔离的有源区焊盘，该有源区焊盘具有与其相结合的一组沟槽电容器，该组沟槽电容器通过纵向晶体管与有源区焊盘连接，构成的有源区焊盘连接该组沟槽电容器与第一触点；和设置在一组有源 区焊盘之间的栅导体焊盘，用来激发与栅导体焊盘相邻的每个有源区焊盘中的至少一个纵向晶体管，通过第二触点激发每个栅导体焊盘，使得当通过第二触点激发栅导体焊盘时，每个有源区焊盘中的所述至少一个纵向晶体管导通以提供进入沟槽电容器的通道，并传输第一触点和沟槽电容器之间的状态。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1999-6-7 09/326,8891.一种具有纵向晶体管的存储器件，包括在所有面上与相邻有源区焊盘隔离的有源区焊盘，该有源区焊盘具有与其相结合的一组沟槽电容器，该组沟槽电容器通过纵向晶体管与有源区焊盘连接，构成的有源区焊盘连接该组沟槽电容器与第一触点；和设置在一组有源区焊盘之间的栅导体焊盘，用来激发与栅导体焊盘相邻的每个有源区焊盘中的至少一个纵向晶体管，通过第二触点激发每个栅导体焊盘，使得当通过第二触点激发栅导体焊盘时，每个有源区焊盘中的所述至少一个纵向晶体管导通以提供进入沟槽电容器的通道，并传输第一触点和沟槽电容器之间的状态。2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，有源区焊盘和栅导体焊盘的形状是正方形、圆形和三角形之一。3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，第一触点与第一金属化层连接，第二触点与第二金属化层连接。4.如权利要求3所述的器件，其特征在于，第一金属化层包含第一金属线，第二金属化层包含第二金属线，其中第一金属线和第二金属线具有实质上相等的间距。5.如权利要求3所述的器件，其特征在于，第一金属化层包含第一金属线，第二金属化层包含第二金属线，其中第一金属线和第二金属线都设置为之字图形。6.如权利要求1所述的器件，其特征在于，有源区焊盘和栅导体焊盘设置为棋盘图形。7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，第一触点与位线连接，第二触点与字线连接。8.如权利要求1的器件，其特征在于，该器件可分为存储单元，使得存储单元具有大约4F2和大约6F2的面积。9.一种具有纵向晶体管的存储器件，包括基本上是正方形的有源区焊盘，在有源区焊盘的每个角处形成有沟槽电容器，沟槽电容器通过纵向晶体管与有源区焊盘连接，构成有源区焊盘以便当纵向晶体管导通时连接沟槽电容器和第一触点；和在四个有源区焊盘之间设置实质上是正方形的栅导体焊盘，使得栅导体焊盘的角与四个有源区焊盘的相邻角重叠，采用栅导体焊盘来激发一个纵向晶体管，该纵向晶体管和与栅导体焊盘重叠的每个有源区焊盘的角相应，通过第二触点激发栅导体焊盘，使得当栅导体焊盘通过第二触点激发时，每个有源区焊盘中的一个纵向晶体管导通以便...
【专利技术属性】
技术研发人员：R拉蒂乌斯，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术北美公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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