纵向晶体管、存储装置以及用于制造纵向晶体管的方法制造方法及图纸

一种纵向晶体管（１００），具有设置在半导体衬底（１０１）中的垂直方向上的一源区（１０３）、一漏区（１０９）、一栅极区（１０８）、和一在源区（１０３）与漏区（１０９）之间的沟道区（１０４），其中，栅极区（１０４）具有对源区（１０３）、对漏区（１０９）、和对沟道区（１０４）的电绝缘，并且是如此地围绕沟道区（１０４）设置的，使得栅极区（１０８）和沟道区（１０４）形成一同轴结构。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纵向晶体管、一种存储装置以及一种用于制造纵向晶体管的方法。
技术介绍
由于计算机技术的迅速发展，存在着对在越来越小的装置上提供越来越大的存储量的存储介质的需求。通常在大的存储单元装置中存储大的数据量。例如采用可在长的时间区间中无信息损失地存储所存储信息的非易失存储器作为存储单元。例如可采用在硅芯片上的晶体管作为非易失性存储器。但是在进一步进展的小型化的情况下，常规的硅微电子学将遇到它的极限。尤其是在这同时每个芯片上几亿晶体管的越来越小的和越密集布置的晶体管的发展，在今后的十年中原则上将遇到物理上的问题。在低于80nm的结构尺寸时量子效应将干扰地影响，并在约30nm以下的尺寸时将制约位于芯片上的元件。芯片上元件的增长的集成密度也会导致在位于芯片上的元件之间所不期望的串扰，并导致废热的剧烈上升。因此，借助于晶体管尺寸的持续发展的微型化来提高晶体管装置的存储密度是一种在不久以后将会遇到物理极限的方案。因此人们谋求具有替代各个晶体管尺寸的逐步微型化的方案。一种用以进一步提高存储密度的方案基于在芯片中垂直地，而不是平面地集成晶体管的基本构思。此时，在提高了晶体管装置中封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
纵向晶体管 .具有一源区， .具有一漏区， .具有一栅极区，和 .具有一在源区和漏区之间的沟道区， .其中，在半导体衬底中的垂直方向上设置源区、沟道区和漏区， .其中，栅极区具有对源区、对漏区和对沟道区的电绝缘，和 .其中，栅极区（１０４）是如此地围绕沟道区布置的，使得栅极区和沟道区（１０４）形成一种同轴结构。

【技术特征摘要】
DE 2001-6-26 10130766.71.纵向晶体管·具有一源区，·具有一漏区，·具有一栅极区，和·具有一在源区和漏区之间的沟道区，·其中，在半导体衬底中的垂直方向上设置源区、沟道区和漏区，·其中，栅极区具有对源区、对漏区和对沟道区的电绝缘，和·其中，栅极区(104)是如此地围绕沟道区布置的，使得栅极区和沟道区(104)形成一种同轴结构。2.按权利要求1的纵向晶体管，其中，沟道区和栅极区之间的所述的电绝缘是由电绝缘层组成的层序列。3.按权利要求1或2的纵向晶体管，其中，借助一种可施加到栅极区上的电位可以同轴收缩在沟道区中的源区和漏区之间构成的电载流子沟道。4.按权利要求1至3之一的纵向晶体管，其中，在沟道区和栅极区之间的所述电绝缘的一定区域中可以存储电载流子。5.按权利要求1至4之一的纵向晶体管，其中，沟道区和栅极区之间的所述的电绝缘是一由一第一氧化物层、一氮化物层和一第二氧化物层组成的氧化物-氮化物-氧化物层序列。6.按权利要求5的纵向晶体管，其中，在氮化物层的一定区域中可以存储电载流子。7.具有多个按权利要求1至6之一的纵向晶体管的存储装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：P哈格梅耶，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]