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一种纵向晶体管（１００），具有设置在半导体衬底（１０１）中的垂直方向上的一源区（１０３）、一漏区（１０９）、一栅极区（１０８）、和一在源区（１０３）与漏区（１０９）之间的沟道区（１０４），其中，栅极区（１０４）具有对源区（１０３）、对漏区（...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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