半导体设备和其制造方法技术

一种半导体设备，其中具有平整主表面的半导体膜被用作有源层。具有平整主表面的半导体膜（５）其ｒｍｓ小于１０ｎｍ，Ｐ－Ｖ值小于７０ｎｍ，它们分别显示表面粗糙度，该膜通过含有浓度为百分之几、优选是０．１－１０原子％的锗的硅膜结晶并用激光照射该膜而形成。在采用促进结晶的金属元素进行结晶的情况下，获得了晶体取向率以及平整度高的半导体膜。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包括薄膜晶体管(以下称为TFT)构成的电路的半导体设备，及其制造方法。例如本专利技术涉及液晶显示器面板所代表的电光装置以及以上述电光装置作为其一部分的电子设备。
技术介绍
本说明书中的半导体设备是指利用半导体特性来操作的所有器件，电光装置、半导体电路以及电子设备都包括在这类半导体设备中。近年来，半导体设备已经在不断进步，其中采用在具有绝缘表面的衬底上形成的半导体薄膜(膜厚大约几个至几百个纳米)形成薄膜晶体管(TFT)，该TFT用于构成大规模的集成电路。有源矩阵类型液晶模块、EL模块以及接触影像传感器是其已知的典型示例。尤其是，采用具有以晶体结构(通常是多晶硅膜)作为有源层的硅膜的TFT(以下称为多晶硅TFT)其场效应迁移性高，因此被用于形成具有各种功能的电路。例如安装在液晶显示器上的液晶模块包括在一个衬底上的像素部分和驱动电路，该驱动电路例如基于CMOS电路的移位寄存器电路、电平移位电路、缓冲电路或抽样电路。像素部分为每个功能块执行影像显示，驱动电路控制像素部分。另外，在有源矩阵类型液晶模块的像素部分中，每一个TFT(像素TFT)被设置在几十至几百万像素中，每个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体设备，包括： 薄膜晶体管，包括在绝缘膜上形成的半导体层， 其中半导体层包括硅作为主要成分并含有锗，作为有源层，并且 其中有源层Ｐ－Ｖ值小于７０ｎｍ，它表示其主表面的表面粗糙度。

【技术特征摘要】
JP 2001-7-2 200319/011.一种半导体设备，包括薄膜晶体管，包括在绝缘膜上形成的半导体层，其中半导体层包括硅作为主要成分并含有锗，作为有源层，并且其中有源层P-V值小于70nm，它表示其主表面的表面粗糙度。2.如权利要求1的半导体设备，其中半导体膜含有的锗浓度为0.1-10原子％，作为具有晶体结构的硅膜。3.如权利要求1的半导体设备，其中半导体膜含有的金属元素浓度为1×1016/cm3-5×1018/cm3，作为具有晶体结构的硅膜。4.如权利要求3的半导体设备，其中金属元素是用于促进硅结晶的金属元素，并且是选自Fe、Ni、Co、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu和Au中的至少一种元素。5.一种半导体设备，其中该如权利要求1所述的半导体设备是选自视频摄像机、数码相机、车用导航系统、个人计算机、个人数字助理以及电子游戏设备的一种。6.一种半导体设备，包括薄膜晶体管，包括在绝缘膜上形成的半导体层，其中半导体层包括硅作为主要成分并含有锗，作为有源层，并且其中有源层粗糙度均方根小于10nm，它表示其主表面的表面粗糙度。7.如权利要求6的半导体设备，其中半导体膜含有的锗浓度为0.1-10原子％，作为具有晶体结构的硅膜。8.如权利要求6的半导体设备，其中半导体膜含有的金属元素浓度为1×1016/cm3-5×1018/cm3，作为具有晶体结构的硅膜。9.如权利要求8的半导体设备，其中金属元素是用于促进硅结晶的金属元素，并且是选自Fe、Ni、Co、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu和Au中的至少一种元素。10.一种半导体设备，其中该如权利要求6所述的半导体设备是选自视频摄像机、数码相机、车用导航系统、个人计算机、个人数字助理以及电子游戏设备的一种。11.一种半导体设备，包括薄膜晶体管，包括在绝缘膜上形成的半导体层，其中半导体层包括硅作为主要成分并含有锗，作为有源层，并且其中有源层粗糙度均方根小于10nm，P-V值小于70nm，它们分别表示其主表面的表面粗糙度。12.如权利要求11的半导体设备，其中半导体膜含有的锗浓度为0.1-10原子％，作为具有晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：笠原健司，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]