半导体器件及其制造方法技术

按照这样一种方式形成一个工作半导体层，使得该无定形硅层形成为具有一个宽区域和一个窄区域，并且该窄区域相对于宽区域位置不对称地连接到该宽区域，并且在作为热保持层的多晶硅层隔着氧化硅层从侧面包住该窄区域的状态下，通过把连续波激光束从宽区域向窄区域扫描，而使该无定形硅层结晶。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有工作半导体层的薄膜型半导体器件以及其制造方法。具体来说，它最好应用于一种薄膜晶体管，其中源极/漏极形成在该工作半导体层(operating semiconductor)上，并且栅极形成在沟道区上。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)被形成到安装于大屏幕液晶显示面板等等上的非常薄的精细工作半导体层上。最近需要较大的面积的显示面板。对于一个TFT工作半导体层，已经研究使用多晶硅层，因为它具有较高的载流子迁移率并且与无定形硅层(a-Si层)相比具有热稳定性。目前，下文所述的方法被用于使用多晶硅层来形成工作半导体层的方法。(1)已经采用通过把无定形硅层加热大约600℃和大约1100℃以进行结晶而形成多晶硅层的方法。该方法在加热处理的早期阶段形成晶核，并且通过该晶核的生长来进行结晶。(2)通过增加激光能量使无定形硅层熔化，当它冷却时通过结晶而形成多晶硅层。(3)该多晶硅层直接通过化学汽相生长方法或者物理蒸发方法在600℃或更高的温度下直接形成。在此，使用在玻璃基片上形成薄膜半导体层的方法为例，讨论现有技术的缺点。由于玻璃用于基片材料，因此基片的温度被限于600℃或更小。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其中包括： 基片；以及 被构图形成在所述基片上的工作半导体层， 其中该工作半导体层被整形，使得宽区域和窄区域相互连接； 宽区域处于具有较大晶粒的流型状态，以及在该流型中的晶粒边界的方向被形成为不与窄区域的纵向方向相平行；以及 该窄区域基本上处于单晶状态。

【技术特征摘要】
JP 2001-8-30 262160/2001;JP 2002-6-20 180425/20021.一种半导体器件，其中包括基片；以及被构图形成在所述基片上的工作半导体层，其中该工作半导体层被整形，使得宽区域和窄区域相互连接；宽区域处于具有较大晶粒的流型状态，以及在该流型中的晶粒边界的方向被形成为不与窄区域的纵向方向相平行；以及该窄区域基本上处于单晶状态。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该窄区域作为一个沟道。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该窄区域具有在接近该流型的晶粒边界的一部分的一端上形成的切口。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中窄区域的宽度比晶粒的宽度更窄。5.一种制造薄膜型半导体器件的方法，该半导体器件具有基片和构图形成在该基片上的工作半导体层，其中包括如下步骤在该基片上形成要作为工作半导体层的一个半导体层；处理该要整形的半导体层，从而它具有宽区域和窄区域，并且窄区域连接到宽区域，使得该窄区域被设置为相对于宽区域不对称；在处理该半导体层之后，形成窄区域的热保持层，以隔着一个隔离层有选择地覆盖该窄区域的侧面部分；以及在形成热保持层的状态下，通过把能量束沿着窄区域的纵向方向从宽区域向窄区域照射到半导体层上而使该半导体层结晶。6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其中在处理该半导体层时，一个切口形成在该窄区域中。7.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其中在半导体层的结晶之后，通过除去半导体层的外围边缘部分而对该工作半导体层构图，以使得该半导体层成形，从而该窄区域与宽区域相对称地设置。8.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其中该能量束对于时间连续地输出能量。9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中对于时间连续地输出能量的该能量束为连续波激光束。10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中该连续波激光束是半导体激励的固态激光束。11.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中能量束的输出不稳定性小于±1％每小时。12.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其中该半导体层具有400纳米或更小的厚度。13.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其中该窄区域被形成作为用于工作半导体层的一个沟道。14.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其中该窄区域被形成为具有比该晶粒的宽度更窄的宽度。15.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其中该能量束的射束点为带状或椭圆形状，并且其扫描面基本上为一个平面。16.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其中连...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐野泰之，原明人，竹井美智子，佐佐木伸夫，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]