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半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:3214537
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按照这样一种方式形成一个工作半导体层,使得该无定形硅层形成为具有一个宽区域和一个窄区域,并且该窄区域相对于宽区域位置不对称地连接到该宽区域,并且在作为热保持层的多晶硅层隔着氧化硅层从侧面包住该窄区域的状态下,通过把连续波激光束从宽区域向窄区...
该专利属于夏普株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过夏普株式会社授权不得商用。
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