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一种半导体设备，其中具有平整主表面的半导体膜被用作有源层。具有平整主表面的半导体膜（５）其ｒｍｓ小于１０ｎｍ，Ｐ－Ｖ值小于７０ｎｍ，它们分别显示表面粗糙度，该膜通过含有浓度为百分之几、优选是０．１－１０原子％的锗的硅膜结晶并用激光照射该膜而...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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