【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件,更具体地涉及沟槽型肖特基器件及其制 造工艺。
技术介绍
沟槽型肖特基器件为人们所熟知,并且例如在Andoh和Chiola的 题为"Trench Schottky Barrier Diode (沟槽型肖特基势垒二极管),,的 第6,855,593号美国专利(IR-1663 )中示出。平面型肖特基器件也为 人们所熟知,并且在Gould的第4,398,344号美国专利(IR-659)中示出。由于需要额外的必需的工艺步骤,以确保从沟槽壁除去在由沟槽 形成的台顶部上的势垒金属,因而沟槽肖特基的制造较为复杂。需要提供这样一种工艺,即,其具有更少的工艺步骤但并不影响 最终器件特性。
技术实现思路
根据本专利技术,在硅衬底中形成隔开的沟槽,并且氧化物层在全部 上表面上以及在沟槽侧壁上热生长。然后将氧化物层从台的顶部上除 去,之后,通过在晶片(或管芯)的全部上表面上溅射、粘附到在该 台的顶部处暴露的硅表面、形成所需的肖特基势垒以及粘附到沟槽的壁和底部上的氧化物层,从而沉积粘附到氧化物和硅的势垒金属。可 以使用的势垒金属为,例如钛和钯。用来形成所述势垒金属的工艺可以是在上文参考的第4,398,344号Gould专利中描述的工艺。沟槽深度和宽度以及台宽度的尺寸,可以是在上文描述的第 6,855,593号美国专利中描述的尺寸。附图说明图l是在形成平行沟槽、对晶片的上表面进行氧化并且从台的顶 部除去氧化物之后,晶片(或管芯)的一小部分的剖视图;以及图2示出了图1中的晶片的整个表面上沉积势垒金属之后的情形, ^f旦该势垒金属只与台的顶部接触。具体实施例方式首先 ...
【技术保护点】
用于形成沟槽型肖特基器件的方法,包括以下步骤:在半导体晶片的上表面内形成平行沟槽;在每个所述沟槽的内壁上形成氧化物层,使所述沟槽之间的台的顶部不被绝缘;在所述晶片的全部暴露的上表面上涂覆肖特基势垒层金属,所述肖特基势垒层金属在所述台上并与所述台接触、以及在所述沟槽中的所述氧化物层上,从而与所述沟槽的壁绝缘,由此所述单个势垒层金属对硅限定出肖特基势垒。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:乔瓦尼里基耶罗,罗萨罗卡尔塔,
申请(专利权)人:国际整流器公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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