半导体装置的制造设备制造方法及图纸

一种半导体装置的制造设备包含：一反应室，该反应室具有一第一侧、一第二侧、和一侧壁，此反应室包含经过该第二侧的一排气孔，该侧壁介于该第一侧和第二侧间；在该反应室中的一承载器托住一基板于其上，该承载器平行于该第二侧；一抽气板，介于该承载器和第二侧间，该抽气板和侧壁留有间隔；和一减压系统，在该反应室之外，该减压系统连接到该排气孔。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一半导体装置的制造设备，特别涉及一半导体装置的制造设备的抽气结构。一般而言，此液晶显示装置(LCD，Liquid Crystal Display)具有上下层基板，被隔开并相互面对。排列在基板上的电极相互面对。一液晶层插入于上层基板和下层基板之间。一个电压经由每个基板上的电极施加到此液晶层，因此，依照施加的电压，此液晶分子改变其排列以显示图像。此LCD装置的下层基板通常被称为一数组基板，其包含被排列成矩阵的像素电极和薄膜晶体管。此数组基板的制造是经由在一透明基板上沉积一薄膜，并将此薄膜图案化的工艺。这些工艺在一个制造此半导体装置的设备中，在真空状态下完成。此设备包括一个工艺反应室，其为一个密闭的反应容器、一个抽气系统，控制此反应室中的环境、和一个气体供应系统，其储存和供应反应气体。附图说明图1是一现有技术的反应室，用以制造一半导体装置。在此反应室10中，经由注入此反应室10的气体的化学反应，一薄膜沉积在一基板1上，或在此基板上的一薄膜被图案化。此反应室10包括一个气体入口22、一个出口24。此气体入口22是反应气体的一条路径，此反应气体经由此气体入口22供应到此反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造设备，其特征在于，包含： 一反应室，具有：一第一侧、一第二侧、和一侧壁，该反应室包含一排气孔，通过该第二侧，该侧壁介于该第一侧和该第二侧间； 一承载器，在该反应室中，托住一基板于其上，该承载器平行于该第二侧； 一抽气板，在该承载器和该第二侧间，该抽气板和该侧壁留有间隔；和 一减压系统，在该反应室之外，该减压系统连接到该排气孔。

【技术特征摘要】
KR 2002-1-14 2002-20911.一种半导体装置的制造设备，其特征在于，包含一反应室，具有一第一侧、一第二侧、和一侧壁，该反应室包含一排气孔，通过该第二侧，该侧壁介于该第一侧和该第二侧间；一承载器，在该反应室中，托住一基板于其上，该承载器平行于该第二侧；一抽气板，在该承载器和该第二侧间，该抽气板和该侧壁留有间隔；和一减压系统，在该反应室之外，该减压系统连接到该排气孔。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承善，徐现模，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]