多晶硅层的制作方法技术

一种多晶硅层的制作方法，包括下列步骤：（ａ）提供一衬底；（ｂ）于衬底上形成一阻障层；（ｃ）于阻障层上形成一具有低热传导系数的多孔材料层；（ｄ）于多孔材料层上形成一非晶硅层；以及（ｅ）进行一激光退火制作工艺。由于多孔材料层具有低热传导系数，故可以形成具有较大晶体尺寸的多晶硅层。此外，上述阻障层与多孔材料层之间例如可选择性地形成一应力缓冲层。由于多孔材料层具有低热传导系数，故可使得所成长出来的多晶硅层具有较大的晶体尺寸。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种通过具有低热传导特性(low thermal conductivity)的多孔材料层(porous layer)以形成较大晶体尺寸(grain size)的。
技术介绍
低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器(Low Temperature PolySiliconLiquid Crystal Display，LTPS LCD)有别于一般传统的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(a-Si TFT-LCD)，其电子迁移率可以达到200cm2/V-sec以上，故可使薄膜晶体管组件所占面积更小以符合高开口率的需求，进而增进显示器亮度并减少整体的功率消耗问题。另外，由于电子迁移率的增加可以将部份驱动电路与薄膜晶体管制作工艺一并制造于玻璃衬底上，大幅提升液晶显示面板的可靠度，且使得面板制造成本大幅降低。因此，低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的制造成本较非晶硅薄膜晶体管液晶显示器低出许多。此外，低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器具有厚度薄、重量轻、分辨率佳等特点，十分适合应用于要求轻巧省电的移动终端产品上。低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器(LTPS-LCD)中，薄膜晶体管的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅层的制作方法，其特征在于：包括：　　　　提供一衬底；　　　　于该衬底上形成一阻障层；　　　　于该阻障层上形成一多孔材料层，其中该阻障层与该多孔材料层构成一缓冲层；　　　　于该多孔材料层上形成一非晶硅层；　　　　进行一激光退火制作工艺，以形成一多晶硅层。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅层的制作方法，其特征在于包括提供一衬底；于该衬底上形成一阻障层；于该阻障层上形成一多孔材料层，其中该阻障层与该多孔材料层构成一缓冲层；于该多孔材料层上形成一非晶硅层；进行一激光退火制作工艺，以形成一多晶硅层。2.如权利要求1所述的多晶硅层的制作方法，其特征在于该阻障层的形成方法包括化学气相沉积。3.如权利要求1所述的多晶硅层的制作方法，其特征在于该阻障层的材质包括氮化硅。4.如权利要求1所述的多晶硅层的制作方法，其特征在于该多孔材料层的形成方法包括电子束沉积。5.如权利要求1所述的多晶硅层的制作方法，其特征在于该多孔材料层的材质包括氧化硅。6.如权利要求1所述的多晶硅层的制作方法，其特征在于该多孔材料层的材质包括氧化硅与氧化铝的混合物。7.如权利要求6所述的多晶硅层的制作方法，其特征在于该多孔材料层的内氧化硅与氧化铝以95∶5的比例混合。8.如权利要求1所述的多晶硅层的制作方法，其特征在于该多孔材料层的热传导系数低于0.014W/cm-K(摄氏20度)。9.如权利要求1所述的多晶硅层的制作方法，其特征在于该激光退火制作工艺为一准分子激光退火制作工艺。10.一种多晶硅层的制作方法，其特征在于包括提供一衬底；于该衬底上形成一阻障层；于该阻障层上形成一应力缓冲层；于该应力缓冲层上形成一多孔材料层，其中该多孔材料层...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭佳添，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]