多晶硅回蚀溶液及其用途制造技术

本发明专利技术公开了一种多晶硅回蚀溶液，由氢氧化钠、次氯酸钠、硅酸钠、有机酸或有机醇及余量的水组成。本发明专利技术不改变多晶硅片表面的颜色。从扫描电镜中观察，回蚀后的绒面形貌与回蚀前几乎没有差别。将扩散后的多晶硅片浸泡于回蚀溶液中，使得低薄层电阻的硅片被回蚀到高薄层电阻，且高薄层电阻的均匀性在90%以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多晶硅回蚀溶液的用途。
技术介绍
提高太阳能性能，降低制作成本，是太阳能电池领域研究和重点。在太阳电池中，过量磷的区域总是在接近电池表面的地方。这就可能在靠近表面处产生一个“死层”，在这里因为少数载流子的寿命非常短，所以光生载流子被收集的机会非常少
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种使得低薄层电阻的硅片被回蚀到高薄层电阻，回蚀后的高薄层电阻的均匀性好的多晶硅回蚀溶液及其用途。本专利技术的技术解决方案是 一种多晶硅回蚀溶液，其特征是由下列体积百分比的成分混合组成 氢氧化钠 0. 03% 0. 5% 次氯酸钠 0. 02% 0. 5% 硅酸钠 0. 01% 0. 5% 有机酸或有机醇 0. 0059T0. 1% 余量为水。所述有机酸为乙酸、丙酸、丁酸、庚酸中的一种或几种；所述有机醇为乙醇、正丁醇中的一种或几种。一种多晶硅回蚀溶液的用途，其特征是将多晶硅片浸泡在多晶硅回蚀溶液中，回蚀处理的温度范围为25 60°C，回蚀处理的时间范围为30秒 300秒。本专利技术不改变多晶硅片表面的颜色。从扫描电镜中观察，回蚀后的绒面形貌与回蚀前几乎没有差别。将扩散后的多晶硅片浸泡于回蚀溶液中，使得低薄层电阻的硅片被回蚀到高薄层电阻，且高薄层电阻的均匀性在90%以上。这种溶液不依赖大型昂贵的链式设备，只需槽内浸泡，成本低，操作简单易行，可以满足实验及生产制作的需要。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。图I是本专利技术多晶薄层电阻在回蚀前与回蚀后的测试结果 图2是多晶硅片回蚀前的绒面俯视电镜 图3是多晶硅片回蚀后的绒面俯视电镜图。具体实施方式实施例I : 一种多晶硅回蚀溶液，由下列体积百分比的成分混合组成 氢氧化钠 0. 03% 0. 5% (例 0. 03%、0. 3%、0. 5%) 次氯酸钠 0. 02% 0. 5% (例 0. 02%、0. 3%、0. 5%) 硅酸钠 0. 01% 0. 5% (例 0. 01%, 0. 3%、0. 5%)有机酸 0. 005% 0. 1% (例 0. 005%、0. 05%、0. 1%) 余量为水。所述有机酸为乙酸(或丙酸、丁酸、庚酸中的一种或几种)。使用时，将多晶硅片浸泡在多晶硅回蚀溶液中，回蚀处理的温度范围为25 60°C，回蚀处理的时间范围为30秒 300秒，硅片每片减薄量为O。 实施例2: 将实施例I中的有机酸改为有机醇，所述有机醇为乙醇和/或正丁醇。其余同实施例Io本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅回蚀溶液，其特征是由下列体积百分比的成分混合组成 氢氧化钠 O. 039ΓΟ. 5% 次氯酸钠 O. 029ΓΟ. 5% 硅酸钠 O. ΟΡ/ΓΟ. 5% 有机酸或有机醇 O. 0059Γ0. 1% 余量为水。2.根据权利要求I所述的多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈专，林佳继，黄路遥，戴燕华，朱琛，赵同荣，
申请(专利权)人：韩华新能源启东有限公司，
类型：发明
国别省市：