混合模拟组件的电容器制造方法技术

本发明专利技术是提出一种混合模拟组件的电容器制造方法，其是在一半导体基底内形成用以隔绝组件主动区的浅沟渠隔离区域及其上的基本组件时，在用以形成电容器的该浅沟渠隔离区域上形成多晶硅结构，再于其上形成金属硅化物与氮化钛层，以组成电容器的叠层状下电极；接着于下电极表面再形成一介电层及一上电极，使其结合在一起而制作出叠层状电容器结构。本发明专利技术是利用叠层状电容器取代习知的立体结构电容器，并藉此增加电容器的表面积而不会影响后续制程，以增加电容器的电容量。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种半导体组件的制造方法，特别是关于一种以MIM(MetalInsulator Metal)方式制作混合模拟组件(Mixed Mode Analog Device)的电容器的方法。
技术介绍
混合模拟组件是为一种在半导体芯片的逻辑区域中，同时具有如放大器、模拟数字转换器等的数字组件以及如正反相器、加法器等的模拟组件的电路，且此混合模拟电路包含有构成组件的金氧半导体(MOS)及电容器。已知在深次微米半导体制程中制作出的混合模拟组件的电容器结构如图1所示，其是在一半导体基底10中依序形成有浅沟渠隔离区域(STI)12、晶体管栅极结构14、轻掺杂源/漏极区域16、栅极间隙壁18及重掺杂源/漏极区域20等半导体基本组件；之后继续进行自行对准金属硅化物的制程，在该栅极结构14、源/漏极区域20及部份表面形成有钴或钛金属硅化物22，接续在该半导体基底10上沉积一化学气相绝缘层24，然后于其上依序形成一金属层26、一介电层28及一金属层30，以构成一MIM(Metal Insulator Metal)电容器32结构。由于电容器的电容量是随着电极的表面积增加而增加，并因介电材质具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混合模拟组件的电容器制造方法，其特征是包括下列步骤：在一半导体基底中依序形成有数浅沟渠隔离区域、栅极结构、源／漏极区域等半导体基本组件，且在用以形成电容器的该浅沟渠隔离区域上是形成有多晶硅结构；在该半导体基底上先形成一金属层后， 再形成一氮化钛层；进行一热回火处理，使得位于该栅极结构、源／漏极区域及该多晶硅结构表面的金属层转变成金属硅化物，此时该多晶硅结构及其上的该金属硅化物与氮化钛层是作为电容器的下电极；在该半导体基底上的该氮化钛层表面是形成一介电层； 再于该介电层表面形成一上电极层；形成一图案化光阻层于该半导体基底上，以露出不属于该电容器范围的该浅沟...

【技术特征摘要】
1.一种混合模拟组件的电容器制造方法，其特征是包括下列步骤在一半导体基底中依序形成有数浅沟渠隔离区域、栅极结构、源/漏极区域等半导体基本组件，且在用以形成电容器的该浅沟渠隔离区域上是形成有多晶硅结构；在该半导体基底上先形成一金属层后，再形成一氮化钛层；进行一热回火处理，使得位于该栅极结构、源/漏极区域及该多晶硅结构表面的金属层转变成金属硅化物，此时该多晶硅结构及其上的该金属硅化物与氮化钛层是作为电容器的下电极；在该半导体基底上的该氮化钛层表面是形成一介电层；再于该介电层表面形成一上电极层；形成一图案化光阻层于该半导体基底上，以露出不属于该电容器范围的该浅沟渠隔离区域及其上的各组件；以及以该图案化光阻层为屏蔽，去除露出的该上电极层、该介电层、该氮化钛层及未转变成金属硅化物的该金属层，而后移除该图案化光阻层，使位于该用以形成电容器的浅沟渠隔离区域上的该下电极、该介电层及该上电极层形成一叠层状电容器。2.根据权利要求1所述的混合模拟组件的电容器制造方法，其特征是该金属层的材质是为钛金属或钴金属。3.根据权利要求1所述的混合模拟组件的电容器制造方法，其特征是形成该金属层的厚度是介于50埃至500埃之间。4.根据权利要求1所述的混合模拟组件的电容器制造方法，其特征是该氮化钛层的厚度是介于200埃至2000埃之间。5.根据权利要求1所述的混合模拟组件的电容器制造方法，其特征是该介电层的材质是选...

【专利技术属性】
技术研发人员：高荣正，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]