【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路的制作方法，尤其涉及一种。
技术介绍
在现有大规模集成电路的制作过程中，将多晶硅高阻薄膜电阻(方数一般为几千欧姆)直接集成到电路内部是增加集成度且缩小大规模集成电路体积的重要工作，但是，由于多晶硅高阻薄膜电阻的阻值很难精确控制，工艺上较难达到精确控制的要求。为此，除了必须将多晶硅薄膜高阻电阻集成到电路内部中的大规模集成电路外，对于一般的模拟和混合电路只好采用外围电路的形式来实现某些特定功能。然而，在现有的工艺过程中，主要研究多晶薄膜的淀积过程，对于薄膜厚度和形貌都要较高的要求；同时对于多晶硅注入和退火过程研究和要求也很透彻，要求保证多晶颗粒大小和杂质的浓度分布，以达到多晶硅的迁移率理想分布；并且在多晶硅图形刻蚀方面也可以加强监控来保证多晶硅电阻的阻值稳定。但是从当前多晶硅薄膜工艺现状来看，由于工艺控制难以达到要求，因此多晶硅薄膜电阻的离散性比较大，尤其在对于电阻精度要求较高的集成电路中不能满足要求，导致合格率低且工艺波动大，造成了很大的损失。并且，对于合金的温度，考虑到Kirhcndall(克坎达尔)效应，Kirhcndall效应是指接触金属在半导体中的固溶度和半导体在金属中的固溶度不同，热处理时造成材料的运输不均匀，从而在半导体合金时会造成空洞产生。因此，为了避免该Kirhcndall效应，所以采取较低温度合金，这样容易由引起于温度的控制漂移导致不能形成很好的欧姆接触，造成HPO高电阻的不均匀。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，它能在集成电路制作工艺上精确控制多晶硅高阻薄膜电阻的阻值。本专利技术的目的是这样实现的一种...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成电路多晶硅高阻电阻的制作方法，其特征在于包括以下步骤步骤一，准备适当的硅片；步骤二，在硅片上淀积多晶硅层作为多晶电阻；步骤三，在多晶硅层上注入杂质元素，用以调节多晶硅高阻电阻的电阻率；步骤四，在注入杂质元素后的多晶硅层上刻蚀多晶电阻，形成电阻图形；步骤五，在合金温度提高到435℃到470℃之间，且在氮氧混合气体气氛中完成合金接触。2.如权利要求1所述的集...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂纪平，施荣泉，彭丰，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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