【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种电阻型存储器，其特征在于，所述电阻型存储器集成于集成电路的后端结构中，其包括：形成于所述后端结构的通孔中的垂直电极；位于所述垂直电极和用于形成所述通孔的介质层之间的扩散阻挡层，所述介质层被部分地水平横向刻蚀以形成部分地暴露所述扩散阻挡层的水平沟槽；通过对暴露的所述扩散阻挡层氧化形成的存储功能层；以及在所述水平沟槽中依次形成的金属内电极、半导体层、金属水平电极；其中，所述金属内电极、半导体层和金属水平电极用于形成基于金属?半导体?金属结构的双向二极管。
【技术特征摘要】
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