制造CMOS图像传感器的方法技术

公开了一种制造图像传感器的方法，通过该方法，图像传感器的特性和产量是以防止金属垫与碱性显影溶液接触的方式来增强。本发明专利技术包括步骤：在分成有源区和垫区的半导体衬底之上依次堆叠金属层和氮化物层，通过选择性地图案化氮化物层和金属层在垫区上形成金属垫，在包括金属垫的半导体衬底之上形成保护层，通过选择性地去除保护层直至氮化物层的表面被暴露，在金属垫之上形成垫开口，在半导体衬底的有源区之上形成滤色器层，在滤色器层之上形成微透镜，以及选择性地去除经由垫开口而暴露的氮化物层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及CMOS图像传感器，尤其涉及制造CMOS图像传感器的方法。尽管本专利技术适用于宽范围的应用，但是它特别适用于增强图像传感器的特性和产量。
技术介绍
通常，图像传感器是将光学信号转换为电信号的半导体器件。并且，图像传感器主要被分类为电荷耦合器件(CCD)和CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器。然而，上面配置的CCD具有复杂的驱动系统，需要相当多的功率消耗，并且需要多步骤光工艺。因此，不利的是，制造上面配置的CCD的工艺是复杂的。而且，CCD难以在CCD芯片上集成控制电路、信号处理电路、模拟/数字(A/D)转换器等等。因此，难以减小上面配置的CCD的尺寸。为了克服CCD的不足，注意到将CMOS图像传感器作为下一代图像传感器。在CMOS图像传感器中，共计为单元像素数目的MOS晶体管是通过使用控制电路、信号处理电路等等作为外围电路的CMOS技术在半导体衬底上形成。因此，CMOS图像传感器采用经由MOS晶体管依次检测单元像素的输出的切换系统。使用CMOS制造技术，CMOS图像传感器的优势在于低功率消耗、由于光工艺步骤少因而制造工艺简单等等。由于控制电路、信号处理电路、模本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造ＣＭＯＳ图像传感器的方法，包括步骤：在分成有源区和垫区的半导体衬底之上依次堆叠金属层和氮化物层；通过选择性地图案化氮化物层和金属层，在垫区上形成金属垫；　在包括金属垫的半导体衬底之上形成保护层；通过选 择性地去除保护层直至氮化物层的表面被暴露，在金属垫之上形成垫开口；在半导体衬底的有源区之上形成滤色器层；在滤色器层之上形成微透镜；以及选择性地去除经由垫开口而暴露的氮化物层。

【技术特征摘要】
KR 2005-2-17 10-2005-00131551.一种制造CMOS图像传感器的方法，包括步骤在分成有源区和垫区的半导体衬底之上依次堆叠金属层和氮化物层；通过选择性地图案化氮化物层和金属层，在垫区上形成金属垫；在包括金属垫的半导体衬底之上形成保护层；通过选择性地去除保护层直至氮化物层的表面被暴露，在金属垫之上形成垫开口；在半导体衬底的有源区之上形成滤色器层；在滤色器层之上形成微透镜；以及选择性地去除经由垫开口而暴露的氮化物层。2.权利要求1的方法，其中在垫开口形成步骤中，氮化物层的表面被用作为利用氮化物层与保护层之间蚀刻选择性的蚀刻停止层。3.权利要求1的方法，其中经由垫开口而暴露的氮化物层通过毯式蚀刻来去除。4.权利要求1的方法，其中氮化物层以100～1000的厚度形成。5.权利要求1的方法，其中金属垫由铝形成。6.权利要求1的方法，进一步包括在半导体衬底之上形成金属层之前在半导体衬底上形成绝缘层的步骤。7.权利要求1的方法，进一步包括在半导体衬底的有源区之上形成滤色器层之前在半导体衬底的有源区之上形成第一平坦化层的步骤。8.权利要求1的方法，进一步包括在滤色器层之上...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩昌勋，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]