CMOS图像传感器的制造方法技术

一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：　　　　在包括光电二极管区和晶体管区的第一导电型半导体衬底的晶体管区上形成栅电极；　　　　在所述栅电极上形成自对准硅化物层；以及　　　　注入第二导电型掺杂剂以在所述半导体衬底的光电二极管区内形成光电二极管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种CMOS图像传感器的制造方法。更具体而言，本专利技术涉及一种CMOS图像传感器的制造方法，其能够在形成光电二极管时防止高能注入的掺杂剂渗透到栅电极的下部，从而防止晶体管的电流泄漏与阈值电压的变化。
技术介绍
通常，图像传感器是一种用于将光学图像转换成电信号的半导体器件，并且其分为电荷耦合器件(CCD)和CMOS图像传感器。 CCD具有多个布置成矩阵形式的光电二极管(PD)，以将光信号转换成电信号。CCD包括多个垂直电荷耦合器件(VCCD)，其设置于矩阵内垂直布置的光电二极管之间，以便当从各光电二极管产生电荷时沿垂直方向转移电荷；多个水平电荷耦合器件(HCCD)，其用于沿水平方向转移已从VCCD转移的电荷；以及读出放大器，其用于通过读出沿水平方向转移的电荷而输出电信号。 然而，此类CCD具有多种缺点，例如复杂的驱动模式、高功耗等。此外，CCD需要多个步骤的光处理，因而CCD的制造工艺复杂。另外，由于难以将控制器、信号处理器和模/数转换器(A/D转换器)集成于CCD的单个芯片上，所以CCD不适用于尺寸紧凑的产品。 近来，CMOS图像传感器作为能够解决CCD的问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
书所限定的本发明的精神和范围的情况下，对本发明进行形式和细节上的各种改变。权利要求1.一种CMOS图像传感器的制造方法，所述制造方法包括以下步骤在包括光电二极管区和晶体管区的第一导电型半导体衬底的晶体管区上形成栅电极；在所述栅电极上形成自对准硅化物层；以及注入第二导电型掺杂剂以在所述半导体衬底的光电二极管区内形成光电二极管。2.如权利要求1所述的制造方法，其中所述注入第二导电型掺杂剂的步骤包括以下子步骤在包括所述自对准硅化物层的半导体表面的整个表面上沉积光致抗蚀剂膜；图案化所述光致抗蚀剂膜，以露出所述半导体衬底的光电二极管区和与所述光电二极管区相邻的部分自对准硅化物层；以及通过使用图案化的光致抗蚀剂膜和所述自对准硅化物层的露出部分作为掩模，将第二导电型掺杂剂注入到露出的光电二极管区。3.如权利要求1所述的制造方法，其中该制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成茂，
申请(专利权)人：东部电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：