半导体器件的制造方法技术

一种将光接收元件部分、ＣＭＯＳ元件以及具有双层多晶硅结构的双极晶体管元件形成在一个芯片上的半导体器件的制造方法，该半导体器件能够高速运行和宽带运行。通过进行相同导电类型的离子注入，相同导电类型的扩散层（其实例包括Ｎ型扩散层，作为Ｐ型扩散层的阳极扩散层、Ｐ型阱扩散层以及集电极扩散层，作为Ｎ型扩散层的阴极扩散层和集电极接触扩散层，作为Ｎ型扩散层的源极／漏极扩散层和基极多晶硅扩散层，以及作为Ｐ型扩散层的源极／漏极扩散层和基极多晶硅扩散层）可同时形成在半导体衬底或该半导体衬底上方的外延层的光接收元件区、ＣＭＯＳ元件区以及双极晶体管元件区中的两个或更多个区域中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体地，涉及一种光接收元件部分、CMOS元件以及双极晶体管元件形成在一个芯片上的。
技术介绍
通常，大多数光接收元件作为单个元件形成。因此，为了处理接收到的信号，光接收元件部分与信号处理元件部分一起使用。或者，光接收元件部分与信号处理半导体器件集成在同一封装中。从而，光接收元件部分用作混合集成电路。在此背景之下，提出了一种将光接收元件部分与信号处理元件部分形成在一个芯片上的方法。根据上述方法，能够实现电路的微型化。光接收元件部分和信号处理元件部分的实例包括光电二极管和用于处理来自光电二极管的信号的互补金属氧化物半导体(MOS)元件或双极晶体管(NPN型晶体管(在下文中用“NPN-Tr”来指代)和PNP型晶体管(在下文中用“PNP-Tr”来指代))(例如，参见日本未审专利公开No.11-045988)。此外，在集成了光接收元件部分和信号处理元件部分的电路中，为了实现高速而使用光接收元件部分。因此，信号处理元件部分也必须高速运行和宽带运行。构成上述信号处理元件部分的元件实例包括双极晶体管。当使用这种晶体管时，能够容易地形成可高速运行的垂直电路。然而，双极晶体管具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，在该半导体器件中将光接收元件部分、ＣＭＯＳ元件以及双极晶体管元件形成在一个芯片上，该方法包括以下步骤：通过进行离子注入，在半导体衬底或该半导体衬底上方的外延层的光接收元件区、ＣＭＯＳ元件区以及双极晶体管元件区中的两个或更多个区域中同时形成扩散层。

【技术特征摘要】
JP 2006-4-28 2006-1259991.一种半导体器件的制造方法，在该半导体器件中将光接收元件部分、CMOS元件以及双极晶体管元件形成在一个芯片上，该方法包括以下步骤通过进行离子注入，在半导体衬底或该半导体衬底上方的外延层的光接收元件区、CMOS元件区以及双极晶体管元件区中的两个或更多个区域中同时形成扩散层。2.如权利要求1所述的方法，其中该光接收元件部分具有光电二极管。3.如权利要求1所述的方法，其中该离子注入在该外延层的光接收元件区中形成阳极扩散层，同时形成该外延层的CMOS元件区中的阱扩散层和双极晶体管元件区中的集电极扩散层中的至少之一。4.如权利要求3所述的方法，其中通过将离子种类设定为硼离子并将该硼离子的剂量设定为大约5×1011至1×1014cm-2进行该离子注入。5.如权利要求1所述的方法，其中该离子注入在该外延层的光接收元件区和双极晶体管元件区中分别形成阴极扩散层和集电极接触扩散层。6.如权利要求5所述的方法，其中通过将离子种类设定为磷离子并将该磷离子的剂量设定为大约1×...

【专利技术属性】
技术研发人员：若林利广，濑户山孝男，浅野佑次，五十岚章郎，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]