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一种将光接收元件部分、ＣＭＯＳ元件以及具有双层多晶硅结构的双极晶体管元件形成在一个芯片上的半导体器件的制造方法，该半导体器件能够高速运行和宽带运行。通过进行相同导电类型的离子注入，相同导电类型的扩散层（其实例包括Ｎ型扩散层，作为Ｐ型扩散层的...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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