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一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：　　　　在包括光电二极管区和晶体管区的第一导电型半导体衬底的晶体管区上形成栅电极；　　　　在所述栅电极上形成自对准硅化物层；以及　　　　注入第二导电型掺杂剂以在所述半导体衬底的光电...
该专利属于东部电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部电子股份有限公司授权不得商用。

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