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本发明是提出一种混合模拟组件的电容器制造方法，其是在一半导体基底内形成用以隔绝组件主动区的浅沟渠隔离区域及其上的基本组件时，在用以形成电容器的该浅沟渠隔离区域上形成多晶硅结构，再于其上形成金属硅化物与氮化钛层，以组成电容器的叠层状下电极；接...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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