半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置的制造方法。本发明专利技术要解决的课题是，得到高电阻，温度系数小，而且薄膜电阻的单晶片面内均匀性优良的电阻元件。解决课题的手段是，在半导体基板（１）上形成场氧化膜（２），在该场氧化膜（２）上用ＬＰＣＶＤ法形成非掺杂的硅膜（３）。硅膜（３）是非晶硅膜或多晶硅膜。向该硅膜（３）进行ＢＦ２↑［＋］离子注入。并且在该离子注入前或离子注入后进行７５０℃以下低温的Ｎ２退火。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是涉及具有由硅膜构成且温度系数小的电阻元件的。
技术介绍
现在作为构成各种LSI电路、例如差动放大器和基准电压发生电路等用的电阻元件，正在使用在半导体基板上形成的多晶硅电阻元件。为了实现高精度的LSI电路，就要求把多晶硅电阻元件的温度系数变小。如下面的专利文献1、2所公开的，在制作该多晶硅电阻元件之际调整向非掺杂多晶硅中离子注入时杂质的剂量，把其温度系数变小的技术被知晓。专利文献1特开2001-196541号公报专利文献2特开平4-284666号公报在调整杂质的剂量把其温度系数变小时，一般把其剂量增加得相当多，所以多晶硅电阻元件的薄膜电阻Rs变小。因此为了得到高电阻值的多晶硅电阻元件，其图形面积就变大，招致成本提高。
技术实现思路
本专利技术在半导体基板上形成绝缘膜，在该绝缘膜上形成非掺杂的硅膜，在该硅膜上把P型杂质离子注入。并且在该离子注入前或离子注入后进行在750℃以下的低温氮气环境中的退火。附图说明图1是说明本专利技术半导体装置制造方法的剖面图；图2是说明本专利技术半导体装置制造方法的剖面图；图3是说明本专利技术半导体装置制造方法的剖面图；图4是说明本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在半导体基板上形成第一绝缘膜的工序；在该第一绝缘膜上形成非掺杂硅膜的工序；向该硅膜进行Ｐ型杂质的离子注入的工序；然后以露出所述硅膜的状态，在使向所述硅膜注入的Ｐ型杂质的外扩散在所述半导体基板内均匀发生那样的温度的氮气环境中，进行所述硅膜退火的工序；在该硅膜上形成第二绝缘膜的工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-1-15 006653/031.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有在半导体基板上形成第一绝缘膜的工序；在该第一绝缘膜上形成非掺杂硅膜的工序；向该硅膜进行P型杂质的离子注入的工序；然后以露出所述硅膜的状态，在使向所述硅膜注入的P型杂质的外扩散在所述半导体基板内均匀发生那样的温度的氮气环境中，进行所述硅膜退火的工序；在该硅膜上形成第二绝缘膜的工序。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述温度是750℃以下。3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述温度是650℃以上。4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有在半导体基板上形成第一绝缘膜的工序；在该第一绝缘膜上形成非掺杂硅膜的工序；以露出所述硅膜的状态在650℃以上、750℃以下的氮气环境中进行所述硅膜退火的工序；然后向所述硅膜进行P型杂质的...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭塚胜彦，五嶋一智，谷口敏光，大谷敏晴，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]