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本发明公开了一种半导体装置的制造方法。本发明要解决的课题是，得到高电阻，温度系数小，而且薄膜电阻的单晶片面内均匀性优良的电阻元件。解决课题的手段是，在半导体基板（１）上形成场氧化膜（２），在该场氧化膜（２）上用ＬＰＣＶＤ法形成非掺杂的硅膜（...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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