半导体器件及其制造方法、电路基板和电子设备技术

一种半导体器件，包含：半导体衬底（１０），具有有源元件区域（１２），具有电连接包含上述有源元件的集成电路的电极（１４）；树脂层（１８），在半导体衬底（１０）的形成电极（１４）的面上避开电极（１４）来形成；布线层（２４），从电极（１４）向树脂层１８上延伸，包含多个电连接部；外部端子（３０），设置在电连接部上。多个电连接部中，第一电连接部（２６）的表面形状与第二电连接部（２８）的表面形状相比面积更大。根据本发明专利技术，提高半导体器件的可靠性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及其制造方法、电路基板和电子设备。
技术介绍
作为半导体器件的组件，在晶片级上制造组件的晶片级CSP(Chip SizePackage)的普及性提高。该方法制造的半导体器件外部尺寸为半导体芯片尺寸，要求原来的半导体器件以上的可靠性。
技术实现思路
本专利技术的目的是提高半导体器件的可靠性。(1)本专利技术的半导体器件，包含半导体衬底，具有有源元件区域，具有电连接包含上述有源元件的集成电路的电极；树脂层，在上述半导体衬底的形成上述电极的面上避开上述电极来形成；布线层，从上述电极向上述树脂层上延伸，包含多个电连接部；外部端子，设置在上述电连接部上，上述多个电连接部包含第一电连接部和第二电连接部，上述第一电连接部的表面形状与上述第二电连接部的表面形状相比面积更大。根据本专利技术，由于第一电连接部的表面形状与第二电连接部的表面形状相比更大，由第一电连接部防止外部光进入半导体衬底，可提高遮光性。另外通过由第一电连接部截断电磁波，可得到屏蔽效果。因此，半导体器件不会误动作，可提高其可靠性。(2)该半导体器件中，上述第二电连接部可以形成在上述树脂层的上面。由此，可由树脂层吸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包含：半导体衬底，具有有源元件区域，具有电连接包含上述有源元件的集成电路的电极；树脂层，在上述半导体衬底的形成上述电极的面上避开上述电极来形成；布线层，从上述电极向上述树脂层上延伸而形成，包含多个电连 接部；外部端子，设置在上述电连接部上，上述多个电连接部包含第一电连接部和第二电连接部，上述第一电连接部的表面形状与上述第二电连接部的表面形状相比面积更大。

【技术特征摘要】
JP 2003-2-7 2003-0309501.一种半导体器件，包含半导体衬底，具有有源元件区域，具有电连接包含上述有源元件的集成电路的电极；树脂层，在上述半导体衬底的形成上述电极的面上避开上述电极来形成；布线层，从上述电极向上述树脂层上延伸而形成，包含多个电连接部；外部端子，设置在上述电连接部上，上述多个电连接部包含第一电连接部和第二电连接部，上述第一电连接部的表面形状与上述第二电连接部的表面形状相比面积更大。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中上述第二电连接部形成在上述树脂层的上面。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中上述树脂层与上述半导体衬底的上述有源元件区域平面重叠地形成，上述第一电连接部形成在上述树脂层中与上述有源元件区域平面重叠的部分上。4.根据权利要求1至3的任意一项所述的半导体器件，其中上述第一电连接部几乎覆盖上述树脂层的整个上面来形成。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中上述第一电连接部还覆盖上述树脂层的侧面来形成。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中上述第一电连接部形成至上述半导体衬底的上述树脂层的外侧区域。7.根据权利要求1至6的任意一项所述的半导体器件，其中上述第一电连接部供给地电位或电源电位。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中第一电连接部形成为可得...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥元伸晃，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]