半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术的目的是采用一种简单的工艺来提供ＭＯＳ型晶体管，其中高浓度结可以被非常浅且稳定地形成，以避免由于生产中的差异所造成的构成漏／源区域的高浓度区域延伸超过接触孔，而这是采用传统的具有ＬＤＤ结构的ＭＯＳ型晶体管所无法达到的。本发明专利技术具有如下特征。即，在形成ＭＯＳ型晶体管的接触孔时，采用了氮化膜作为腐蚀阻挡膜以阻止硅衬底被过腐蚀。通过使用接触孔作为掩模，采用离子注入工艺来形成构成源／漏区域的高浓度的扩散区。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别地，涉及一种MOS型晶体管，它具有高浓度浅结，用于以稳定的方式形成源/漏区域。
技术介绍
到目前为止，下面的具有沟道区207的结构已经广为人知(例如，参照JP 2002-057326 A(附图1))。更确切的说，栅电极通过在硅半导体衬底上形成的栅氧化膜形成，该栅氧化膜被场氧化膜包围，并且在硅半导体衬底的表面中在栅电极的两端形成有低浓度的扩散层。在每一个低浓度扩散层中，称作源/漏区域的高浓度扩散层形成在远离栅电极的位置。不必说，沟道区是在栅电极下面的硅半导体衬底表面中形成。不过，根据最近微型化的需要，传统的具有LDD(轻掺杂漏)结构的MOS型晶体管需要有浅结。另外，规定的精确度对接触孔的深度和形成源/漏区域的高浓度区的深度有着非常苛刻的影响，因此用现有的生产线满足上述的要求十分困难。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的就是要提供一种MOS型晶体管，其中高浓度结可以被非常浅且稳定地形成，以避免由于生产中的差异造成构成源/漏区域的高浓度区域延伸到超过接触孔，而这是采用传统的具有LDD结构的MOS型晶体管所无法达到的。为了达到上述目的，根据本专利技术，应用了下述若干本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：场氧化膜，其形成在一种导电类型的半导体衬底上；栅电极，其通过栅氧化膜形成在一种导电类型的半导体衬底上，并被场绝缘膜所包围；具有相反导电类型的低浓度的源／漏区域，所述源／漏区域形成在被场氧化膜和栅 电极所包围的区域中；层间膜，用以实现栅电极以及具有相反导电类型的低浓度的源／漏区域与形成在其上的布线之间的电绝缘；接触孔，其形成在层间膜中，用以在布线、栅电极以及具有相反导电类型的低浓度的源／漏区域之间提供电连接；氮 化膜，被形成用于阻止在层间膜中形成接触孔时一种导电类型的半导体衬底被过腐...

【技术特征摘要】
JP 2003-1-15 6629/031.一种半导体器件，包括场氧化膜，其形成在一种导电类型的半导体衬底上；栅电极，其通过栅氧化膜形成在一种导电类型的半导体衬底上，并被场绝缘膜所包围；具有相反导电类型的低浓度的源/漏区域，所述源/漏区域形成在被场氧化膜和栅电极所包围的区域中；层间膜，用以实现栅电极以及具有相反导电类型的低浓度的源/漏区域与形成在其上的布线之间的电绝缘；接触孔，其形成在层间膜中，用以在布线、栅电极以及具有相反导电类型的低浓度的源/漏区域之间提供电连接；氮化膜，被形成用于阻止在层间膜中形成接触孔时一种导电类型的半导体衬底被过腐蚀；以及具有相反导电类型的高浓度扩散层，其仅被选择性地形成在其中形成有接触孔的具有相反导电类型的低浓度源/漏区域中。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中具有相反导电类型的低浓度源/漏区域的杂质浓度为1×1016-1×1018atoms/cm3。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中具有相反导电类型的高浓度扩散层的杂质浓度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：海老原美香，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]