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本发明的目的是采用一种简单的工艺来提供ＭＯＳ型晶体管，其中高浓度结可以被非常浅且稳定地形成，以避免由于生产中的差异所造成的构成漏／源区域的高浓度区域延伸超过接触孔，而这是采用传统的具有ＬＤＤ结构的ＭＯＳ型晶体管所无法达到的。本发明具有如下特...
该专利属于精工电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过精工电子有限公司授权不得商用。

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