半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术的目的是提供一种可实现低成本而且高性能的纵型ＭＯＳＦＥＴ的制造方法。通过用离子注入法对半导体衬底注入杂质并进行热氧化，可使由沟槽和半导体衬底平坦部形成的形状变得平滑。由此提高了栅绝缘膜耐压。此外，在本发明专利技术的半导体器件的制造方法中，由于在形成沟槽并在上述沟槽内形成栅电极后，形成成为源的Ｎ＋扩散层，所以因Ｎ＋扩散层的再扩散而引起的源与漏之间的漏泄电流不至增大。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是涉及具有沟槽结构的纵型MOSFET的制造方法。
技术介绍
现依据作为纵型MOSFET的图5说明现有技术。半导体衬底在表面具有P-型扩散层3，在其下部有N-型半导体衬底2，更在其下有N+型半导体衬底1。沟槽6以超越P-型扩散层3并抵达N-型半导体衬底2的深度形成。在该沟槽6的表面形成栅绝缘膜7，进而在其内部埋设由多晶硅等构成的栅电极8。然后，在P-型扩散层3内设置N+型扩散层5(例如，请参照专利文献1)。在图5的纵型MOSFET中。在成为漏的N+半导体衬底1(高浓度漏)和N-半导体衬底2(低浓度漏)与成为源的N+型扩散层5之间，通过对栅电极8施加规定的阈值以上的电压，沿P-型扩散层3内的沟槽形成N型反转层，形成电流路径。由此，在纵型MOSFET的源与漏之间成为导通状态，通过使栅电极8的电压在阈值以下，P-扩散层3的N型反转层消失，在纵型MOSFET的源与漏之间成为关断状态。由于这种结构的纵型MOSFET沿沟槽6形成纵型的电流路径，所以与平面型MOSFET相比，产生了可使电流路径的面积格外地扩大，从而减少其导通电阻的优点。接着，说明图5的纵型MOSFET的制造方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：在第一导电类型的半导体衬底上形成第二导电类型的半导体层的工序；在上述第二导电类型的半导体层内引入杂质的工序；形成贯通上述第二导电类型的半导体层、抵达上述第一导电类型的半导体衬底的沟槽的工序 ；在上述第一导电类型的半导体衬底表面、上述第二导电类型的半导体层表面、上述沟槽的侧部和底部形成绝缘膜的工序；在上述沟槽内形成栅电极的工序；以及在上述第二导电类型的半导体层内形成第一导电类型的高浓度层的工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-19 75343/03;JP 2003-11-18 387730/031.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有在第一导电类型的半导体衬底上形成第二导电类型的半导体层的工序；在上述第二导电类型的半导体层内引入杂质的工序；形成贯通上述第二导电类型的半导体层、抵达上述第一导电类型的半导体衬底的沟槽的工序；在上述第一导电类型的半导体衬底表面、上述第二导电类型的半导体层表面、上述沟槽的侧部和底部形成绝缘膜的工序；在上述沟槽内形成栅电极的工序；以及在上述第二导电类型的半导体层内形成第一导电类型的高浓度层的工序。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于在上述第一导电类型的半导体衬底上形成的第二导电类型的半导体层内所引入的杂质是第一导电类型的杂质。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于在上述第一导电类型的半导体衬底上形成的第二导电类型的半导体层内所引入的第一导电类型的杂质是砷或磷。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：小岩进雄，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]