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本发明的目的是提供一种可实现低成本而且高性能的纵型ＭＯＳＦＥＴ的制造方法。通过用离子注入法对半导体衬底注入杂质并进行热氧化，可使由沟槽和半导体衬底平坦部形成的形状变得平滑。由此提高了栅绝缘膜耐压。此外，在本发明的半导体器件的制造方法中，由于...
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