制造薄膜晶体管的方法以及装置制造方法及图纸

一种制造薄膜晶体管的方法以及装置。提供一双反应室装置，具有不同的第一反应室以及第二反应室。然后，将具有金属栅极的一基板放入第一反应室中，沉积一钝化层于基板上而覆盖金属栅极。之后，将基板放入第二反应室中，沉积一栅极绝缘层与一半导体层于钝化层上。根据本发明专利技术，不仅能够解决铜元素的扩散问题，也能有效避免铜元素污染沉积栅极绝缘层以及半导体层的第二反应室。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)工艺，特别有关于一种利用双反应室装置(double-chamber apparatus)的薄膜晶体管工艺。
技术介绍
底栅极型(bottom-gate type)薄膜晶体管元件目前已经被广泛地应用于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)中。随着TFT-LCD的尺寸增加，包含薄膜晶体管栅极的金属栅极线(metalgate line)就必须要符合低电阻的要求。由于铜和铜合金材料具有相当低的电阻，所以是用来作为栅极材料的最佳选择。然而，铜元素非常容易扩散到栅极绝缘层(例如SiO2层)内，而影响元件品质。还有，由于铜材料容易变形，所以特别是在进行薄膜沉积的等离子工艺(例如是等离子加强化学气相沉积，PECVD)中，铜材料会和等离子工艺中的气体反应而造成铜材料表面粗糙(roughness)以及增加阻值等不良影响。为解决上述问题，目前已有许多方法被提出来。在美国专利第6165917号中，Batey等人公开一种钝化(passivate)铜层的方法。该方法是沉积一层不含氨(ammonia-free)的氮化硅层覆盖铜栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造薄膜晶体管的方法，包括下列步骤：提供一基板，其上具有一栅极；将该基板放入一第一反应室中；沉积一钝化层于该基板上而覆盖该栅极；将该基板放入一第二反应室中；以及沉积一栅极绝缘层与一半导体层于该钝化 层上。

【技术特征摘要】
1.一种制造薄膜晶体管的方法，包括下列步骤提供一基板，其上具有一栅极；将该基板放入一第一反应室中；沉积一钝化层于该基板上而覆盖该栅极；将该基板放入一第二反应室中；以及沉积一栅极绝缘层与一半导体层于该钝化层上。2.如权利要求1所述的制造薄膜晶体管的方法，更包括下列步骤构图该半导体层；以及形成一源极与一漏极于部分该半导体层上。3.如权利要求1所述的制造薄膜晶体管的方法，其中该基板是玻璃或石英基板。4.如权利要求1所述的制造薄膜晶体管的方法，其中该栅极包含Cu或Al或Mo或Ag或Ag-Pd-Cu或Cr或W或Ti或上述金属的合金。5.如权利要求1所述的制造薄膜晶体管的方法，其中该钝化层是透明绝缘层，而该透明绝缘层包含氮化硅或氧化硅或氮氧化硅或氧化铝或氮化铝或氧化钒或氧化铱或氧化钌。6.如权利要求1所述的制造薄膜晶体管的方法，其中该栅极绝缘层包含氧化硅或氮化硅或氮氧化硅或氧化钽或氧化铝。7.如权利要求1所述的制造薄膜晶体管的方法，其中该半导体层包含一硅层与一经掺杂的硅层。8.如权利要求1所述的制造薄膜晶体管的方法，其中该第一反应室是化学气相沉积(CVD)反应室或物理气相沉积(PVD)反应室。9.如权利要求1所述的制造薄膜晶体管的方法，其中该第二反应室是CVD反应室。10.如权利要求1所述的制造薄膜晶体管的方法，是在一群集式设备中进行的。11.一种制造薄膜晶体管的方法，包括下列步骤提供一基板，其上具有一栅极；将该基板放入一第一反应室中；进行一等离子工艺以对该栅极的表层进行表面处理；将该基板放入一第二反应室中；以及沉积一栅极绝缘层与一半导体层于该基板上。12.如权利要求11所述的制造薄膜晶体管的方法，更包括下列步骤构图该半导体层；以及形成一源极与一漏极于部分该半导体层上。13.如权利要求11所述的制造薄膜晶体管的方法，其中该基板是玻璃或石英基板。14.如权利要求11所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：甘丰源，林汉涂，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]