薄膜晶体管元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管元件的制造方法，包括形成一栅极于一衬底上；对该栅极的表面进行一氢气等离子处理以去除该栅极表面的氧化物；形成一氮化物缓冲层覆盖该栅极；形成一栅极绝缘层于该缓冲层上；形成一半导体层于该栅极绝缘层上，以及形成一源极与一漏极于部分该半导体层上。在进行后续的沉积绝缘层的等离子辅助化学工艺时，金属栅极能藉由缓冲层的保护而不会受到损伤。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管元件(thin film transistor，TFT)的制造方法，特别有关于一种薄膜晶体管元件中栅极结构及其制造方法。
技术介绍
底栅极型(bottom-gate type)薄膜晶体管元件目前已经被广泛地应用于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)中。请参阅图1，其显示传统的底栅极型薄膜晶体管结构100。该薄膜晶体管结构100包括一玻璃衬底110、一金属栅极120、一栅极绝缘层130、一沟道层(channel layer)140、一欧姆接触层150以及一源/漏极层160、170。随着TFT-LCD的尺寸增加，包括薄膜晶体管栅极的金属栅极线(metalgate line)就必须要符合低电阻的要求。为了实现具有低耗能及高响应速度的薄膜晶体管单元，具有低电阻的铜金属(或铜合金材料)已逐渐取代传统铝金属而成为薄膜晶体管栅极的金属栅极线的最佳选择。然而，由于铜材料容易变形，因此在后续以等离子工艺(例如是等离子辅助化学气相沉积，PECVD)形成一栅极绝缘层130于该铜材料所形成的栅极120上时，构成栅极120的铜材料易在该等离子工艺中与工艺气体(例如氧气或氨气)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管元件的制造方法，包括下列步骤：形成一栅极于一衬底上；对该栅极的表面进行一等离子处理以去除该栅极表面的氧化物；形成一缓冲层覆盖该栅极；形成一栅极绝缘层于该缓冲层上；形成一半导体层于该栅极绝 缘层上；以及形成一源极与一漏极于部分该半导体层上。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管元件的制造方法，包括下列步骤形成一栅极于一衬底上；对该栅极的表面进行一等离子处理以去除该栅极表面的氧化物；形成一缓冲层覆盖该栅极；形成一栅极绝缘层于该缓冲层上；形成一半导体层于该栅极绝缘层上；以及形成一源极与一漏极于部分该半导体层上。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管元件的制造方法，其中对该栅极的表面进行的等离子处理所使用的气体为氢气。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管元件的制造方法，其中该缓冲层为一氮化物层。4.如权利要求2所述的薄膜晶体管元件的制造方法，其中该缓冲层是藉由对该栅极进行一氮气等离子处理所形成的氮化物层。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管元件的制造方法，其中该缓冲层是在NH3气体的存在下藉由对该栅极进行一退火工艺所形成的氮化物层，且该退火工艺的温度范围为200-400℃形成。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管元件的制造方法，其中该衬底是玻璃衬底或石英衬底。7.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：甘丰源，林汉涂，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]