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本发明提供一种薄膜晶体管元件的制造方法，包括形成一栅极于一衬底上；对该栅极的表面进行一氢气等离子处理以去除该栅极表面的氧化物；形成一氮化物缓冲层覆盖该栅极；形成一栅极绝缘层于该缓冲层上；形成一半导体层于该栅极绝缘层上，以及形成一源极与一漏极...
该专利属于友达光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。

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