功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种双沟渠式功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置，其包括：一硅基板的汲极；形成在上述硅基板之上的一磊晶层，在上述磊晶层上方形成的阱区中蚀刻一闸极沟渠区而形成的闸极；形成在上述阱区最上方的一源极掺杂区；其中，还包括一源极沟渠区，上述源极沟渠区是通过蚀刻上述源极掺杂区形成另一沟渠，上述另一沟渠的深度到达上述硅基板处。上述装置可具有低导通电阻、高崩溃电压及高密集度的优点，且在制造过程中无须任何放入高温炉的布植步骤，可降低制造过程的复杂度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种双沟渠式，且更特别地涉及一种结合闸极沟渠式及源极沟渠式，可实现低导通电阻、高崩溃电压及高密集度的优点，并可降低制造过程的复杂度。
技术介绍
目前，功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置(powerMOSFET)是用于功率电子电路中的开关装置。当上述装置导通(on)时，应具有低的导通电阻(Ron)；当上述装置关闭(off)时，则应能抵挡较高的电压，也就是具有更高的崩溃电压(VB)，为了实现这一目的，功率MOSFET装置通常制造为垂直式双扩散结构，且具有微掺杂的＂偏移(drift)＂磊晶(epi)层，然而，上述装置的崩溃电压会随着偏移层的掺杂浓度的降低及厚度的增加而增加，因而造成导通电阻(Ron)增加。如图1所示，为公知的沟渠式(闸极沟渠式)功率MOSFET装置的结构。为方便说明起见，本申请中将采用N信道功率MOSFET装置进行描述，这些说明同样适用于P信道功率MOSFET装置，其中仅需将N改为P以及将P改为N即可。在公知的沟渠式功率MOSFET装置制造过程中，多采用氢退火法(Hydrogen Annealing)的技术来制作沟渠，使沟渠下方转角处圆滑，因而粗糙度降低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双沟渠式功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置，其包括：一硅基板的汲极；形成在上述硅基板之上的一磊晶层，在上述磊晶层上方形成的阱区中蚀刻一闸极沟渠区而形成的闸极；形成在上述阱区最上方的一源极掺杂区；其特征在于，还包括一源极沟渠区，上述源极沟渠区是通过蚀刻上述源极掺杂区形成另一沟渠，上述另一沟渠的深度到达上述硅基板处。

【技术特征摘要】
1.一种双沟渠式功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置，其包括一硅基板的汲极；形成在上述硅基板之上的一磊晶层，在上述磊晶层上方形成的阱区中蚀刻一闸极沟渠区而形成的闸极；形成在上述阱区最上方的一源极掺杂区；其特征在于，还包括一源极沟渠区，上述源极沟渠区是通过蚀刻上述源极掺杂区形成另一沟渠，上述另一沟渠的深度到达上述硅基板处。2.一种双沟渠式功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置的制造方法，包含下列步骤(1)制备一硅基板作为汲极，在上述硅基板上依序地形成一磊晶层...

【专利技术属性】
技术研发人员：贡中元，涂高维，简凤佐，黄彦智，
申请(专利权)人：华瑞股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]