硼化镁超导薄膜的双加热器原位化学气相沉积一步法工艺制造技术

本发明专利技术是一种超导薄膜的制备方法，利用双加热器化学气相沉积一步法工艺制备大面积硼化镁超导薄膜。将基片和镁粒置于双加热器上，双加热器置于化学气相沉积室内，进行原位化学气相沉积，形成的硼化镁超导薄膜转变温度（零电阻温度）在２５Ｋ～３９Ｋ之间，可将薄膜直接应用于高性能超高速微电子系统中。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种超导薄膜的制备方法，用双加热器化学气相沉积工艺一步原位制备大面积硼化镁(MgB2)超导薄膜。二.
技术介绍
用化学气相沉积法制备大面积硼化镁超导薄膜方法，贵州大学已向知识产权局专利局提出专利申请，申请日2001.9.7，申请号01128831.0，在该专利中，采用两步法大面积制备硼化镁超导薄膜，即首先将单质硼沉淀在基片上，然后再将沉积好的硼薄膜基片和镁片密封在钽坩埚中，在一定条件下升温到一定温度，然后冷却至室温，即在硼薄膜基片上形成硼化镁超导薄膜，由于在生产超导薄膜的过程中，第一步先生成硼薄膜，然后第二步再生成硼化镁薄膜，工艺分两步进行，称之为两步法。两步法制备超导薄膜的工艺与现有制备超导薄膜技术比较，具有工艺简单，过程容易控制，成本低，并可在大面积基片上生成超导薄膜等优点。本专利技术的目的在于将原来两步法制备硼化镁超导薄膜的工艺改变成一步法制备硼化镁超导薄膜工艺，缩短工艺流程，简化工艺条件，降低成本，并同样能达到在大面积基片上生成合格超导硼化镁薄膜的效果。本专利技术增大与微电子工艺的兼容性，使超导薄膜可直接用于高性能高速微电子系统三. 专利
技术实现思路
1.基片及镁本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相沉积硼化镁超导薄膜的制备方法，其特征为，将基片置于基片加热器上，将镁材置于镁材料加热器上，将基片加热器和镁材料加热器置于化学气相沉积室内，在双加热器加热的同时通入乙硼烷气体，产生的硼化镁气体逐步淀积到基片上，一步获得硼化镁超导薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积硼化镁超导薄膜的制备方法，其特征为，将基片置于基片加热器上，将镁材置于镁材料加热器上，将基片加热器和镁材料加热器置于化学气相沉积室内，在双加热器加热的同时通入乙硼烷气体，产生的硼化镁气体逐步淀积到基片上，一步获得硼化镁超导薄膜。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积硼化镁超导薄膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅兴华，张正平，杨健，
申请(专利权)人：贵州大学，
类型：发明
国别省市：52[中国|贵州]