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本发明涉及一种双沟渠式功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置，其包括：一硅基板的汲极；形成在上述硅基板之上的一磊晶层，在上述磊晶层上方形成的阱区中蚀刻一闸极沟渠区而形成的闸极；形成在上述阱区最上方的一源极掺杂区；其中，还包括一源极沟渠区，上述...
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