【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及设有冗余电路的半导体存储装置。
技术介绍
图66是表示有关第一传统技术的半导体存储装置的结构的电路图。如图66所示，有关第一传统技术的半导体存储装置包括，3比特×32字结构的标准RAM(Random Access Memory随机存取存储器)101和1比特×32字结构的冗余RAM102。冗余RAM102相对标准RAM101独立设置，且作为标准RAM101的冗余电路起作用。在标准RAM101上，5比特地址AA<4:0>、写入信号WE分别作为地址A<4:0>、写入信号WE1输入，而且，输入3比特数据DI<3:1>。另外，标准RAM101输出3比特数据DO<3:1>。在冗余RAM102上，5比特地址AA<4:0>作为地址A<4:0>输入，而且，输入写入信号WE2和1比特数据DI<0>。另外，冗余RAM102输出1比特数据DO<0>。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其中设有含有标准存储单元区的第一存储装置，相对所述第一存储装置独立设置的、含有冗余存储单元区的第二存储装置，以及预先对所述标准存储单元区规定在补救发生缺陷的所述标准存储单元区时被使用的置换对象单位，并在所述标准存储单元区上实际发生缺陷时，用构成所述冗余存储单元区的多个冗余存储单元的一部分，置换所述标准存储单元区的所述置换对象单位的控制部分；与所述置换对象单位对应的数据的比特数，小于所述第一存储装置中单位数据的比特数。2.一种半导体存储装置，其中设有含有标准存储单元区的第一存储装置，相对所述第一存储装置独立设置的、含有冗余存储单元区的第二存储装置，以及预先对所述标准存储单元区规定在补救发生缺陷的所述标准存储单元区时被使用的置换对象单位，并在所述标准存储单元区上实际发生缺陷时，用所述冗余存储单元区置换所述标准存储单元区的所述置换对象单位的控制部分；与所述置换对象单位对应的数据的比特数，小于所述第一存储装置中单位数据的比特数；所述控制部分，用所述冗余存储单元区置换所述置换对象单位时，对所述第一存储装置的单位数据中与所述置换对象单位对应的数据以外的数据，就在该比特位置上照原样输出；而对于与所述置换对象单位对应的数据，则代之以在其比特位置上输出从所述冗余存储单元区读出的数据。3.一种半导体存储装置，其中设有分别含有标准存储单元区的、相互独立设置且被分配不同地址范围的多个第一存储装置，相对各所述第一存储装置独立设置的、含有冗余存储单元区的第二存储装置，以及在各所述第一存储装置中，预先对所述标准存储单元区规定在补救发生缺陷的所述标准存储单元区时被使用的置换对象单位，并基于被输入的地址，用所述冗佘存储单元区置换多个所述第一存储装置中与所述地址对应的所述第一存储装置中的所述置换对象单位的控制部分；在各所述第一存储装置中，与所述置换对象单位对应的数据的比特数，小于单位数据的比特数。4.一种半导体存储装置，其中设有含有由矩阵状配置的多个标准存储单元构成的标准存储单元区的第一存储装置，相对于所述第一存储装置独立设置的、含有冗余存储单元区的第二存储装置，以及预先对所述标准存储单元区规定在补救发生缺陷的所述标准存储单元区时被使用的置换对象单位，并在所述标准存储单元区上实际发生缺陷时，用所述冗余存储单元区置换所述标准存储单元区的所述置换对象单位的控制部分；所述标准存储单元区的所述置换对象单位包括，由列方向排列的所述标准存储单元构成的第一置换对象单位和由行方向排列的所述标准存储单元构成的第二置换对象单位；所述控制部分进行，用所述冗余存储单元区置换所述第一置换对象单位的列置换，以及用所述冗余存储单元区置换所述第二置换对象单位的行置换；与所述第一置换对象单位对应的数据的比特数，小于所述第一存储装置中单位数据的比特数，且小于与所述第二置换对象单位对应的数据的比特数。5.一种半导体存储装置，其中设有设有由沿位线延伸的第一方向和沿垂直于所述第一方向的字线延伸的第二方向排列的、矩阵状配置的多个标准存储单元构成的标准存储单元区的第一存储装置，相对所述第一存储装置独立设置的、含有冗余存储单元区的第二存储装置，以及预先对所述标准存储单元区规定在补救发生缺陷的所述标准存储单元区时使用的置换对象单位，...
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