【技术实现步骤摘要】
专利技术
技术介绍
领域本专利技术涉及用于化学机械抛光的水分散体和使用这一水分散体制备半导体器件的生产方法，特别是涉及在具有低介电常数内层绝缘体的半导体基片抛光处理中，在半导体器件生产中对带有布线图案的半导体基片例如晶片进行化学机械抛光(下文中可被称作“CMP”)的处理过程中，特别是在两步抛光法的第二步抛光处理步骤中或在三步抛光法的第二步抛光处理步骤中使用的化学机械抛光用的水分散体，以及使用这一水分散体制备半导体器件的生产方法。
技术介绍
迄今为止，通过真空法如化学气相沉积法(CVD)形成的氧化硅膜(SiO2膜)经常被用作半导体设备或类似设备的内层绝缘体。这种SiO2膜具有较高的介电常数。另一方面，为改善超大规模集成电路的性能，近些年来，形成具有较低介电常数的内层绝缘体受到人们的关注。为了获得这种具有较低介电常数的内层绝缘体，已经发展了由聚合物组成的内层绝缘体，这些聚合物是在氧气、一氧化碳、二氧化碳、氮气、氩气、水、臭氧、氨或类似物质的存在下，通过等离子聚合含硅化合物如烷氧基硅烷、硅烷、烷基硅烷、芳基硅烷、硅氧烷或烷基硅氧烷形成的，并且还发展了由聚硅氧烷、聚硅氮烷、聚亚...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.包含磨料颗粒的用于化学机械抛光的水分散体，其中磨料颗粒包括(A)由选自于无机颗粒和有机颗粒中的至少一种组成的简单颗粒，和(B)复合颗粒。2.根据权利要求1的用于化学机械抛光的水分散体，其中组成磨料颗粒的简单颗粒(A)由无机颗粒组成，复合颗粒(B)由通过有机颗粒与无机颗粒整体结合得到的无机有机复合颗粒组成。3.根据权利要求1或2的用于化学机械抛光的水分散体，其中全部磨料颗粒的总含量为0.11-20质量％，简单颗粒(A)的含量为0.1-19.99质量％，复合颗粒(B)的含量为0.01-19.9质量％。4.根据权利要求1-3任一项的用于化学机械抛光的水分散体，其中在相同条件下对铜膜和阻挡金属膜进行抛光的情况下，由阻挡金属膜去除速率(RBM)与铜膜去除速率(RCu)之比表示的特定去除速率比(RBM/RCu)为0.5-200。5.根据权利要求1-3任...
【专利技术属性】
技术研发人员：金野智久，元成正之，服部雅幸，川桥信夫，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：
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