半导体集成电路制造技术

本发明专利技术提供一种半导体集成电路，通过以ＣＭＯＳ工序构成的电路单元（１）至（３）与连接于此的模拟控制线（５↓［－１］、５↓［－２］、５↓［－３］）在布局上不重叠的方式，以模拟控制线（５↓［－１］、５↓［－２］）迂回在ＡＭ.ＦＭ共同电路单元（３）的布局外部的方式进行配线，由此，尽量使ＡＭ.ＦＭ电路单元（３）内的信号线与模拟控制线（５↓［－１］、５↓［－２］）的距离分开，以便使ＡＭ.ＦＭ电路单元（３）内的信号线与模拟控制线（５↓［－１］、５↓［－２］）不借助寄生电容而结合，从而可抑制在信号线与模拟控制线（５↓［－１］、５↓［－２］）之间引起信号相互干涉。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路，尤其适用于在一个芯片上集成多个电路单元并且在各电路单元上连接模拟控制线的CMOS构造的半导体集成电路。
技术介绍
用以制造半导体装置的技术是具有Si(硅)双极性技术、化合物半导体的GaAs(砷化锗)技术、CMOS技术等。其中，CMOS技术具有消耗电力小、即便是低电压亦可工作、在微细化的状态下可进行高速工作、制造成本低等特征，现在多用于半导体装置。其中，接收高频信号而进行处理的RF(Radio Frequency)电路(模拟电路部)多使用双极性技术或GaAs技术，至今尚未使用CMOS技术。这是因为，CMOS技术主要适用于数字电路的技术，在CMOS电路中无法充分获得良好的S/N的高频特性的缘故。然而，近年来，在面向近距离无线数据通讯技术的蓝牙(bluetooth)或使用5GHz带的无线LAN等半导体芯片中，渐渐引入CMOS技术。这是因为和以声音通话为最优先的携带电话不同，由于蓝牙或无线LAN是以数据通信为主，因此在RF电路所需的特性的基准值与携带电话相比较缓慢。然而，若今后CMOS技术的改良日益进步，则推测携带电话等亦可引入CMOS技术，另外，近年来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路，具备以ＣＭＯＳ工序构成的电路单元；以及连接于上述电路单元的模拟控制线，其特征在于，　　　　上述电路单元与上述模拟控制线，以不重叠在相同或不同的配线层的方式，将上述模拟控制线配置于上述电路单元的布局外部。

【技术特征摘要】
JP 2001-7-23 220877/20011.一种半导体集成电路，具备以CMOS工序构成的电路单元；以及连接于上述电路单元的模拟控制线，其特征在于，上述电路单元与上述模拟控制线，以不重叠在相同或不同的配线层的方式，将上述模拟控制线配置于上述电路单元的布局外部。2.一种半导体集成电路，其特征在于，包含具有电源的导通/断开功能的以CMOS工序构成的多个电路单元；及连接在上述多个电路单元的用以控制上述电源的导通/断开的模拟控制线；上述多个电路单元与上述模拟控制线，以不重叠在相同或不同的配线层的方式，将上述模拟控制线配...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸟谷宗宏，
申请(专利权)人：新泻精密株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]