【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种等离子体处理装置以及一种等离子体处理方法，其中等离子体处理是在诸如硅晶片的半导体衬底上加以实施的。
技术介绍
以制造将用于半导体器件中的硅晶片的过程中，实施减小衬底厚度的薄化作业，并减小半导体器件的厚度。该薄化作业是通过在硅衬底表面上形成电路图案，且接着机械抛光电路形成面的背面来予以实施的。在抛光作业之后，为了藉由蚀刻去除在硅衬底的抛光表面上由机械抛光产生的受损层，则实施等离子体处理。该等离子体处理中，该硅晶片是以欲被处理的表面(背面)朝上的姿态被固定的。基此，该硅晶片以电路形成面转向衬底安装部的安装表面的姿态固定。此时，将一保护带粘附于该电路形成面上，以防止电路因与该安装表面直接接触而受损。作为固定该硅晶片的方法，已知一种利用静电吸附的方法。该方法中，该硅晶片安装于衬底安装部上，其中一导体的表面涂覆有薄绝缘层，直流(DC)电压施加于该导体，以使该衬底安装部的表面成为静电吸附表面，且库仑(coulomb)力施加于该硅晶片和(设置于绝缘层之下的导体之间，故将该硅晶片固定于该衬底安装部中。然而，在通过静电吸附固定具有粘附于其上的保护带的硅晶片情况...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置，用于对半导体衬底实施等离子体处理，该半导体衬底在表面上具有一绝缘层，该装置包含： 衬底安装部，其设置有安装表面，该安装表面具有暴露于其至少一部分的导体，并作用为将半导体衬底以绝缘层侧转向该安装表面的方式安装； 用来通过静电吸附将半导体衬底固定于安装表面上的静电吸附装置；以及 等离子体发生装置，用于产生等离子体，以处理安装在安装表面上的半导体衬底； 其中，半导体衬底的所述绝缘层用作供静电吸附用的介电材料。
【技术特征摘要】
JP 2001-8-27 255700/20011.一种等离子体处理装置，用于对半导体衬底实施等离子体处理，该半导体衬底在表面上具有一绝缘层，该装置包含衬底安装部，其设置有安装表面，该安装表面具有暴露于其至少一部分的导体，并作用为将半导体衬底以绝缘层侧转向该安装表面的方式安装；用来通过静电吸附将半导体衬底固定于安装表面上的静电吸附装置；以及等离子体发生装置，用于产生等离子体，以处理安装在安装表面上的半导体衬底；其中，半导体衬底的所述绝缘层用作供静电吸附用的介电材料。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，该绝缘层为粘附于该半导体衬底的表面上的树脂带。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，该树脂带的材料为聚烯烃、聚酰亚胺以及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种。4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，半导体衬底为具有电路形成面的硅晶片，且该绝缘层为用于保护该电路形成面的保护带。5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，该保护带的材料为聚烯烃、聚酰亚胺以及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种。6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，该半导体衬底为具有电路形成面的硅晶片，且该绝缘层为绝缘树脂层，其形成为密封该电路形成面。7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，该半导体衬底为具有电路形成面的硅晶片，且该绝缘层为绝缘树脂层，其设置成在该电路形成面上形成一布线层。8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，还包括真空固持装置，用于经由开向该安装表面的吸附孔的真空吸入来真空吸附该半导体衬底，且固定该安装表面上的该半导体衬底，并且在等离子体由至少等离子体发生装置产生之前，半导体衬底藉由该真空固持装置固定于该安装表面上。9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，还包括冷却装置，用来冷却衬底安装部。10.如权利要求8所述的等离子体处理装置，还包括热传导气体进给装置，用于进给将热传递至吸附孔的气体。11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，安装部包括比半导体衬底大的安装表面，导体暴露于它的安装表面的一部分设置于该安装表面的中央部，且在其外侧从半导体衬底突出的外缘部由绝缘体形成。12....
【专利技术属性】
技术研发人员：有田洁，岩井哲博，寺山纯一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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