基座轴的真空泵吸制造技术

在此所提供的是一种提高在将材料膜沉积到衬底的过程中所使用的基座的支撑板的平面度的方法，包括下列步骤：将轴的中空芯中的压力减小到低于大气压的水平；以及将沉积室中的压力减小到将材料膜沉积到衬底上所要求的水平，其中在轴的中空芯中的压力作用于支撑板的下表面上，该下表面被连接到轴且与轴的中空芯相对接，沉积室中的压力作用于支撑板的适于支撑衬底的上表面上，由此来提高平面度。还提供了基座和将膜沉积到被固定至本发明专利技术的基座上的衬底上的方法。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体制造和沉积室的领域。更具体地，本专利技术涉及在沉积工艺过程中提高基座的平面度的方法。
技术介绍
通过各种沉积工艺可以实现在例如半导体晶片或玻璃板的衬底上制造作为绝缘体、导体、电介质或其它层的薄膜。这些工艺中常见的是化学气相沉积(CVD)工艺和物理气相沉积(PVD或溅射)工艺，这两者都包括更多的具体的沉积方法。将这样的工艺应用于衬底要求在沉积室中以这样的方式处理衬底，使得所得到的沉积薄膜具有其预定用途所需的诸如尤其是保形性(conformality)、在整个衬底上的沉积速率的均一性、厚度均一性和膜的光滑度之类的最佳性能。为了使用这样的沉积技术来处理衬底，可以提供具有基座的真空室，该基座被设置来安放衬底。基座是在例如CVD的制造步骤中支持处理室中的衬底的机械部件。例如，CVD装置包括位于沉积室之中的基座。基座的支撑板支撑诸如玻璃板或半导体晶片的衬底，其中，材料膜通过至少一种前驱体气体的热分解被沉积到该衬底之上。在沉积工艺过程中，降低压力以减小沉积室中的总压力。这导致了作用在基座的底表面上的向上推的力，因为通常为管状结构的基座轴处于大气压的状态。这种压差可以引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高在将材料膜沉积到衬底的过程中所使用的基座的支撑板的平面度的方法，包括下列步骤：将轴的中空芯中的压力减小到低于大气压的水平；以及将沉积室中的压力减小到将材料膜沉积到所述衬底上所要求的水平，其中在所述轴的中空芯中 的压力作用于所述支撑板的下表面上，所述下表面被连接到所述轴且与所述轴的中空芯相对接，所述沉积室中的压力作用于所述支撑板的适于支撑所述衬底的上表面上，由此来提高平面度。

【技术特征摘要】
US 2001-8-3 09/922,3521.一种提高在将材料膜沉积到衬底的过程中所使用的基座的支撑板的平面度的方法，包括下列步骤将轴的中空芯中的压力减小到低于大气压的水平；以及将沉积室中的压力减小到将材料膜沉积到所述衬底上所要求的水平，其中在所述轴的中空芯中的压力作用于所述支撑板的下表面上，所述下表面被连接到所述轴且与所述轴的中空芯相对接，所述沉积室中的压力作用于所述支撑板的适于支撑所述衬底的上表面上，由此来提高平面度。2.如权利要求1所述的方法，其中减小所述轴的中空芯中的压力的操作包括下列步骤将所述轴的中空芯与大气压隔离密封；以及将负压源施加到所述轴的中空芯，由此减小所述中空芯中的压力、3.如权利要求2所述的方法，其中所述中空芯由轴真空连接器壳体密封，其中所述轴真空连接器壳体适于与所述负压源相连接。4.如权利要求3所述的方法，其中所述轴真空连接器壳体包括适于连接到所述负压源的配合件，所述负压源通过所述配合件被施加到所述中空芯。5.如权利要求1所述的方法，其中所述上表面还包括多个穿过此表面的开口，所述开口适于通过对其施加真空将所述衬底固定到所述上表面上，其中，所述多个开口与在所述轴的中空芯中穿行的真空管线连接。6.如权利要求5所述的方法，其中连接到所述多个开口的所述真空管线具有产生于其中的、并且独立于所述轴的中空芯中所产生的负压而进行控制的负压。7.如权利要求1所述的方法，其中所述室压力为从约0.5Torr至约6Torr。8.如权利要求1所述的方法，其中所述轴的中空芯内部的压力被减小到低于约200Torr。9.如权利要求8所述的方法，其中所述轴的中空芯内部的压力被减小到约0.5Torr至约200Torr。10.如权利要求9所述的方法，其中使所述轴的中空芯内部的压力为大致等于所述室压力的值。11.一种提高在将材料膜沉积到衬底的过程中所使用的基座的支撑板的平面度的方法，包括下列步骤将沉积室中的压力减小到约0.5Torr至约200Torr；利用轴真空连接器壳体使轴的中空芯与大气压隔离密封，其中所述轴真空连接器壳体包括适于连接到负压源的配合件；通过所述配合件将所述负压源施加到所述轴的中空芯；以及通过所述配合件将所述轴的中空芯中的压力减小到从约0.5至约200Torr，其中在所述轴的中空芯中的压力作用于所述支撑板的下表面上，所述下表面被连接到所述轴且与所述轴的中空芯相对接，所述沉积室中的压力作用于所述支撑板的适于支撑所述衬底的上表面上，由此来提高平面度。12.如权利要求11所述的方法，其中所述上表面还包括多个穿过此表面的开口，所述开口适于通过对其施加真空将所述衬底固定到所述上表面上，其中，所述多个开口与在所述轴的中空芯中穿行的真空管线连接。13.如权利要求12所述的方法，其中连接到所述多个开口的所述真空管线具有产生于其中的、并且独立于所述轴的中空芯中所产生的负压而进行控制的负压。14.如权利要求11所述的方法，其中使所述轴的中空芯内部的压力为大致等于所述室压力的值。15.一种在用于将材料膜沉积到衬底上的沉积室中使用的基座，所述基座包含安装在具有中空芯的轴上的支撑板，所述支撑板具有适于支撑衬底的上表面和被连接到所述轴并和所述中空芯对接的下表面，其中所述中空芯与大气压隔离密封；以及输入件，用于向所述中空芯内部施加作用于所述衬底支撑板的下表面的负压。16.如权利要求15所述的基座，还包括轴真空连接器壳体，所述轴真空连接器壳体将所述中空芯与大气压隔离密封。17.如权利要求16所述的基座，其中所述轴真空连接器壳体具有置于其上的输入件。18.如权利要求15所述的基座，其中所述衬底支撑板还包括多个开口，所述开口穿过所述上表面，并适于通过对其施加真空将所述衬底固定到所述上表面上，所述多个开口与在所述轴的中空芯中穿行的真空管线连接。19.如权利要求18所述的基座，其中，独立于在所述轴的中空芯内部所产生的并作用于所述支撑板的下表面的所述负压，来控制在连接到所述多个开口的所述真空管线中所产生的负压。20.如权利要求18所述的基座，其中，将被连接到所述多个开口上的所述真空管线连接到真空源，所述真空源独立于被连接到所述输入件的真空源，所述输入件用于在所述轴的中空芯内部产生作用于所述支撑板的下表面的负压。21.一种在用于将材料膜沉积到衬底上的沉积室中使用的基座，所述基座包含安装在具有中空芯的轴上的支撑板，所述支撑板具有适于支撑衬底的上表...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑盖亚达夫，权原尚，厄恩斯特凯勒，威张，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]