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在一种用于对硅晶片（６）实施等离子体处理的等离子体处理装置中，该硅晶片（６）具有粘附于电路形成面上的保护带（６ａ），且该硅晶片（６）安装于一安装表面（３ｄ）上，该安装表面设置于由导电金属形成的下电极（３）的上表面上，且保护带（６ａ）转向该安...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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