利用牺牲材料的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置。该半导体装置包括一具有复数个晶体管装置的基板以及复数条铜交互连接金属化线与复数个导电通孔。该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔是界定于该半导体装置的复数个交互连接阶层中的每一阶层中，使得该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔藉由一空气介电质而相互隔绝。该半导体装置更包括复数个支持短截部，其中每一个是建构为形成一延伸经过该半导体装置的该复数个交互连接阶层的支持柱。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般是关于一种半导体装置制造技术与用以改良半导体装置性能的技巧。精确言之，本专利技术是关于利用牺牲材料以增强半导体装置的性能。
技术介绍
众所周知，半导体工业朝向利用具有更小特征的装置实现具有更高密度的更大基板。为达成此任务，数百万晶体管(transistor)经由交互连接金属化线、绝缘介电层、以及导电通孔构造的多层而连接且制造于一晶圆基板上。起初，金属化线与通孔主要由铝所形成，因其相对便宜、容易蚀刻、且具有相对低阻值，同时绝缘体主要由二氧化矽所形成。然而，随着晶片上系统(system-on-chip)的演进，由于装置特征、通孔与接触孔、以及金属化线间的距离的尺寸减少，更加需要经由改变半导体制造所用的材料改良半导体装置的性能。到目前为止，此已经成为一个双重任务。首先，利用铜交互连接线、通孔、以及接触孔，而非铝。把铝用铜来取代是有利的，因为后者比前者具有更低的阻值以及更好的导电性与电致迁移特性。然而，以铜替代铝存有问题，因为其要求金属交互连接形成中的基本改变。具体言之，虽然铝交互连接是藉由蚀刻掉覆盖于基板的表面上的薄铝膜的未受保护部分而形成，但铜交互连接是经由沉积铜至蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包含：一基板，具有复数个晶体管装置；复数条铜交互连接金属化线与复数个导电通孔，界定于该半导体装置的复数个交互连接阶层中的每一阶层中，该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔是藉由一空气介电质而相互隔绝；以 及复数个支持短截部，该复数个支持短截部中的每一个是建构为形成一延伸经过该半导体装置的该复数个交互连接阶层的支持柱。

【技术特征摘要】
US 2001-3-28 09/821,4151.一种半导体装置，包含一基板，具有复数个晶体管装置；复数条铜交互连接金属化线与复数个导电通孔，界定于该半导体装置的复数个交互连接阶层中的每一阶层中，该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔是藉由一空气介电质而相互隔绝；以及复数个支持短截部，该复数个支持短截部中的每一个是建构为形成一延伸经过该半导体装置的该复数个交互连接阶层的支持柱。2.如权利要求1的半导体装置，其中该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔界定双重镶嵌结构。3.如权利要求1的半导体装置，其中该复数个支持短截部并未电性交互连接至该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔。4.如权利要求1的半导体装置，更包含一钝化层，界定于该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔的最顶层上方。5.如权利要求4的半导体装置，其中该复数个支持短截部更支持该钝化层。6.一种半导体装置，包含一基板，具有复数个晶体管装置；复数条铜交互连接金属化线与复数个导电通孔，界定于该半导体装置的复数个交互连接阶层中的每一阶层中，该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔是藉由一多孔性介电材料而相互隔绝；以及复数个支持短截部，该复数个支持短截部中的每一个是建构为形成一延伸经过该半导体装置的该复数个交互连接阶层的支持柱。7.如权利要求6的半导体装置，其中该复数个支持短截部并未电性交互连接至该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔。8.如权利要求6的半导体装置，更包含一钝化层，界定于该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔的最顶层上方。9.一种半导体装置的制造方法，包含形成复数个晶体管结构于一基板上；形成复数个交互连接金属化结构于复数个阶层中，该复数个交互连接金属化结构的形成包括沉积一牺牲层；进行一双重镶嵌制程以蚀刻复数个渠沟与复数个通孔，以及填满且平坦化该复数个渠沟与该复数个通孔，...

【专利技术属性】
技术研发人员：耶海尔哥特基斯，戴维魏，罗德尼基斯特勒，
申请(专利权)人：兰姆研究有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]