【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置、电子设备、电子仪器和半导体装置的制造方法,尤其适用于半导体封装的层叠结构中。
技术介绍
现有的半导体封装中,例如专利文献1所公开的那样,通过经焊锡球层叠半导体封装实现空间节省。这里,二次安装层叠的半导体封装时,为防止半导体封装之间的焊锡球再熔融而产生位置偏离,在层叠的半导体封装之间填充树脂。专利文献1特开平6-13541号公报但是,在现有半导体封装中,在经焊锡球层叠的半导体封装之间的整个间隙中填充树脂。因此,固化半导体封装之间填充的树脂之际,树脂中包含的水分不能充分去除,半导体封装之间填充的树脂中残留水分。这样,层叠的半导体封装在2次安装时的再回流时,半导体封装之间填充的树脂中包含的水分气化而膨胀,出现半导体封装之间产生剥离的问题。
技术实现思路
因此本专利技术的目的是提供一种能够防止层叠的半导体封装二次安装时位置偏离,并且抑制半导体封装之间的剥离的半导体装置、电子设备、电子仪器和半导体装置的制造方法。为解决上述问题,根据本专利技术之一形式的半导体装置,其特征在于,包括搭载第一半导体芯片的第一半导体封装;搭载第二半导体芯片的第二半导体封装 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于,包括:搭载第一半导体芯片的第一半导体封装;搭载第二半导体芯片的第二半导体封装;突出电极,其连接上述第一半导体封装和上述第二半导体封装,以便使上述第二半导体封装保持在上述第一半导体芯片上; 树脂,其设置在上述第一半导体封装和上述第二半导体封装之间,以配置成避开上述第一半导体芯片的表面的至少一部分。
【技术特征摘要】
JP 2003-3-25 2003-083070;JP 2003-5-22 2003-1451991.一种半导体装置,其特征在于,包括搭载第一半导体芯片的第一半导体封装;搭载第二半导体芯片的第二半导体封装;突出电极,其连接上述第一半导体封装和上述第二半导体封装,以便使上述第二半导体封装保持在上述第一半导体芯片上;树脂,其设置在上述第一半导体封装和上述第二半导体封装之间,以配置成避开上述第一半导体芯片的表面的至少一部分。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,上述突出电极是焊锡球。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,使上述树脂不接触上述突出电极,以配置在上述第一半导体封装和上述第二半导体封装之间。4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,上述树脂仅配置在上述第二半导体封装的角上。5.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,上述第一半导体封装和上述第二半导体封装上对应上述树脂的配置位置设有突出电极的未配置区域。6.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,上述树脂是在与上述突出电极的周围接触的状态下配置的。7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,上述树脂包含焊剂。8.根据权利要求1~7中的任意1项所述的半导体装置,其特征在于,上述第一半导体封装包括第一载体基板和在上述第一载体基板上倒装片安装的第一半导体芯片;上述第二半导体封装包括经上述突出电极安装在上述第一载体基板上以使之保持在上述第一半导体芯片上的第二载体基板、搭载在上述第二载体基板上的第二半导体芯片和密封上述第二半导体芯片的密封件。9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,上述第一半导体封装是在上述第一载体基板上倒装片安装上述第一半导体芯片的球栅阵列,上述第二半导体封装是...
【专利技术属性】
技术研发人员:盐泽雅邦,青栁哲理,
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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